请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:LM5050-1 大家好、
当客户询问 Oring MOS 时、此处有3个问题:
- -1和-2有什么区别? 似乎唯一的区别是电荷泵的位置。
2、高侧与低侧之间的技术重点是什么? 似乎高侧器件的电压应力是正的、低侧器件的电压应力是负的、对吗?
3.热插拔和 Oring MOS 有什么区别? 热插拔是否将更多功能集成到基本的 Oring MOS 中?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、
当客户询问 Oring MOS 时、此处有3个问题:
2、高侧与低侧之间的技术重点是什么? 似乎高侧器件的电压应力是正的、低侧器件的电压应力是负的、对吗?
3.热插拔和 Oring MOS 有什么区别? 热插拔是否将更多功能集成到基本的 Oring MOS 中?
尊敬的 Shiven:
明白了、感谢您的提示回复。
这里还有两个问题:
中的1和2区别在于控制器为内部电路供电的方式。 在1中、它从 VS 获取功率、而在2中、它从 IN
理解是正确的,在低侧,FET 放置在反向路径,而在高侧,FET 放置在正向路径。
谢谢。
BRS、
弗朗西
斯尊敬的 Francis:
其中一个可灵活使用外部电源电压(VS)、但存在漏电问题。 所使用的第二个结构。
(+)[常见问题解答] LM5050-1:LM5050-1泄漏电流-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛
2.没有技术差异。
此致、
S·迪尔