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[参考译文] LM5050-1:ORing MOS 部分

Guru**** 1125150 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1343614/lm5050-1-oring-mos-section

器件型号:LM5050-1

大家好、

当客户询问 Oring MOS 时、此处有3个问题:

  1. -1和-2有什么区别? 似乎唯一的区别是电荷泵的位置。

2、高侧与低侧之间的技术重点是什么? 似乎高侧器件的电压应力是正的、低侧器件的电压应力是负的、对吗?

3.热插拔和 Oring MOS 有什么区别? 热插拔是否将更多功能集成到基本的 Oring MOS 中?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Francis:

    请在下面找到我的评论。

    • 差异体现在控制器为内部电路供电的方式上。 其中、1从 VS 获取电源、而在2中、从 IN 获取电源
    • 正确的理解是、在低侧、FET 置于反向路径、而在高侧、FET 置于正向路径。
    • 热插拔 FET 阻断 FET、而 OR-ing FET 则反向路径阻断 FET、这意味着 VOUT 始终开启。

    此致、

    S·迪尔

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    尊敬的 Shiven:

    明白了、感谢您的提示回复。

    这里还有两个问题:

    • 这2种结构各有哪些优点?
    中的1和2区别在于控制器为内部电路供电的方式。 在1中、它从 VS 获取功率、而在2中、它从 IN
    • 这两种类型的器件之间有何技术差异? 只是电压应力不同? 是否有任何其他差异?  
    理解是正确的,在低侧,FET 放置在反向路径,而在高侧,FET 放置在正向路径。

    谢谢。

    BRS、

    弗朗西

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    尊敬的 Francis:

    其中一个可灵活使用外部电源电压(VS)、但存在漏电问题。 所使用的第二个结构。

    (+)[常见问题解答] LM5050-1:LM5050-1泄漏电流-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛

    2.没有技术差异。

    此致、

    S·迪尔