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[参考译文] LM74700-Q1：关于 I (GATE)和 I (VCAP)之间的差异

admin
Guru**** 2553450 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74700-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1345765/lm74700-q1-about-the-difference-between-i-gate-and-i-vcap

器件型号：LM74700-Q1

您好、TI 团队

我想使用 lm74700-Q1作为理想二极管。

计算开通和关断时间时是否使用了 I (GATE)？

请告诉我如何在这种情况下进行计算。

I (VCAP)(300uA)用于计算 T (DRV_EN)。

T (DRV_EN)和导通时间之间是否存在差异？

我的规格如下。

VinMAX=50V

Iout=50A、最大=100A

从20mV/50A≦RDS (on)≦50mV/50A = 0.4mΩ≦RDS (on)≦1mΩ 中选择的 MOSFET 是两个并联使用的 IAUC120N06S5L011。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IAUC120N06S5L011-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1b680d712ef

Ciss：8770pF

C (VCAP)：8770pF×2×10＝175.4nF

根据下面的公式计算、T (DRV_EN)将 大约为3.9ms。

此致、

林浩二

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    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Koji：

    感谢您与我们联系！

    T (DRV_EN)是电荷泵显著达到电压电平然后导通栅极驱动器所需的时间。 然后、栅极驱动器使用11mA (typ)电流源打开栅极、这将需要一些时间 x 来为栅极充电。

    因此、总导通时间为 T (DRV_EN)+x。

    此致、

    S·迪尔

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    TI__Guru**** 2553450 points
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    尊敬的 Shiven：

    感谢您的快速响应。

     

    x 是否由 Ciss * Vgate/I(GATE )计算？

    Vgate 的价值是什么？

    Ciss＝17540pF (2para)

    I (GATE)= 11mA

     

    此致、

    林浩二

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    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Koji：

    是的、对"x"的理解是正确的。 您可以考虑 Vgate 约为5V。

    此致、

    S·迪尔

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    TI__Guru**** 2553450 points
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    您好，Shiven

    感谢 Quik 回复。

    我明白了。

    X = 17540pF×5V/ 11mA = 7.97μs

    总导通时间= T (DRV_EN)+x =  3.9ms +7.97us =3.9ms

    在本例中、x 很小、大约为 μs μ s、因此 T (DRV_EN)成为主导。

    此致、

    林浩二

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    TI__Guru**** 2553450 points
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    尊敬的 Koji：

    计算结果正确。

    此致、

    S·迪尔

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    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Shiven

    感谢您的答复。

    我明白了。

     

    此致、

    林浩二