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器件型号:LMG2100R044 您好、请任何人帮助解决该问题。 是当 MOSFET 增加一倍时、Rdson 几乎减少一半或电流。
对于5.5m Ω Rdson 的 FET、要驱动50A 的电流、并联两个 FET、产生的 Rdson 是由于并联而为2.75m Ω、电流是25A。
需要计算 并联 FET 的有效功率耗散、以计算适当的散热器。
非常感谢。
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您好、请任何人帮助解决该问题。 是当 MOSFET 增加一倍时、Rdson 几乎减少一半或电流。
对于5.5m Ω Rdson 的 FET、要驱动50A 的电流、并联两个 FET、产生的 Rdson 是由于并联而为2.75m Ω、电流是25A。
需要计算 并联 FET 的有效功率耗散、以计算适当的散热器。
非常感谢。
尊敬的 Abdulrasheed:
如果 您并联两个5.5m Ω FET、则有效电阻为2.75m Ω。 您可以通过两种方法来考虑这一点:
首先、您将每个 FET 经历的电流一分为二。 (数量 x2 5.5m Ω FET、每个25A)
其次、会降低"一个"FET (一个2.75m Ω FET 的电流为50A)的有效导通电阻
传导损耗在每条路径上都是相同的。
2*25^2*.0055=50^2*.00275
此致!
凯尔