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[参考译文] LMG2100R044:并联 FET 的功率损耗计算

Guru**** 2531600 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1346989/lmg2100r044-calculation-of-power-dissipation-of-paralleled-fets

器件型号:LMG2100R044

您好、请任何人帮助解决该问题。 是当 MOSFET 增加一倍时、Rdson 几乎减少一半或电流。  
对于5.5m Ω Rdson 的 FET、要驱动50A 的电流、并联两个 FET、产生的 Rdson 是由于并联而为2.75m Ω、电流是25A。

需要计算 并联 FET 的有效功率耗散、以计算适当的散热器。

 非常感谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Abdulrasheed:

    如果 您并联两个5.5m Ω FET、则有效电阻为2.75m Ω。 您可以通过两种方法来考虑这一点:

    首先、您将每个 FET 经历的电流一分为二。 (数量 x2 5.5m Ω FET、每个25A)

    其次、会降低"一个"FET (一个2.75m Ω FET 的电流为50A)的有效导通电阻

    传导损耗在每条路径上都是相同的。

    2*25^2*.0055=50^2*.00275

    此致!

    凯尔

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    非常感谢、您确实帮了我们 澄清了一些问题。