我使用两个 UCC27712QDRQ1驱动器芯片和四个 IRF150P221 N 通道 MOSFET 构建了以下电路。 我一直尽可能接近参考设计指南、但 Cboot 可能比所述的需要值稍大。 偏置 Vdd 在中为12v、为公共接地。 在工作台上测试的 Vhv 被设定为60V、虽然改变这个电位似乎对高侧电压没有明显的影响。
我看到的是、当 LI 被驱动为高电平(3.3V)时、其中 LO 通过单个50uS 脉冲从0V (所有直流耦合到公共接地)变为接近12v 电源(间隔1秒以进行测试)时的预期输出。 意想不到的情况(很可能是因为我的电源设计无知)是 HO 显示为大约10V 的电压、HI LOW 至 DRIVE 高电平(3.3V)、其中 HO 变为0v。 我预计 HO 在 HI 低电平时约为 Vhv、而在 HI 驱动为高电平时变为 Vhv +~12v。
我是否错误地解释了使用自举电容器的偏置电源输入要求、从而使驱动器芯片进入某种保护模式?
被困惑、提前感谢、
布赖恩