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器件型号：TPS7A7100 主题中讨论的其他器件：TPS7A37
您好！
我已阅读 https://e2e.ti.com/中 有关此问题的所有文章、但无法找到适当的解决方案。
我们知道、需要在 Vin 和 Vout 之间连接一个反向偏置二极管、以便在 Vin << Vout 时保护 LDO 的内部体二极管。 许多情况通常都是这种情况、因为前一级很可能是启用快速放电的直流/直流转换器。 但是、由于 LDO 的体二极管没有在数据表中进行表征和说明、因此无法根据经验选择合适的外部二极管。
在许多情况下、 由于肖特基二极管具有低正向电压、因此建议唯一的做法是选择肖特基二极管。 但是、此参数受正向电流和环境温度的影响。 环境温度从25°C 增加到70°C 后、肖特基二极管的正向电压通常会增加到>0.7V。 这是否会导致在输入电压<输出电压时未激活外部二极管？ TI 必须帮助我们做出这一决定。
在我们的电路中、我们还注意到了导致 Vout 与环境温度一同增加的外部二极管。
例如、假设您的 LDO 电路在 Iout=LDO 时的 Vin =15V、Vout=3.3V 5mA、则随着环境温度超过70°C、输出将上升到3.5V 及以上。 这是由于外部二极管的反向电流造成的。 较高的环境温度会增加外部二极管的反向电流。
因此、我们必须找到一个具有极低反向电流(范围<10uA)、低正向电压(<0.4V)、同时能够在整个温度范围内接受高脉冲正向电流的二极管。 TI 能否帮助我们挑选出这样的二极管？ 或者 TI 是否至少能够提供一个内部二极管正向电压的硬图形？
非常感谢。
最棒的地方
KLP
