[参考译文] CSD17577Q5A：正常热性能

您好、Visaacan、

感谢您关注 TI FET。 更多有关 TI 如何测试 FET 数据表中的热阻规格的信息、请参阅下面链接中的技术文章。 如数据表所示、RθJA 和 RθJC 是在1in² μ m Cu 和最小焊盘尺寸的标准化 PCB 上测得的。 TI 仅保证 RθJC (测量到漏极焊盘)、因为 RθJA 高度依赖于 PCB 布局和层叠。 您是如何在应用中确定 RθJA 为40.4°C/W 的？ 封装散热的主要路径是通过散热(漏极)焊盘进入 PCB。 封装顶部的估算 RθJC 为45°C/W (通过早期仿真获得)、而 RθJC 的估算为2.8°C/W (底部)。 假设~90%的热量通过散热焊盘去除、则约10%的热量通过封装顶部耗散。 从封装顶部估算的结温上升量：ΔTJ = 0.1 x 1.3W x 45°C/W≈6°C。 使用这些假设、外壳温度应该处于结温的大约10°C 范围内。 对于您的应用、在45°C 环境下、估算的顶层外壳温度= 72.3°C + 20°C (假设室温= 25°C)= 92.3°C、估算的 TJ = 92.3°C + 10°C = 102.3°C < TJmax =带余量的150°C。 一般而言、5x6mm SON 封装的最大功耗约为3W、具体取决于电路板层叠和布局。 您的应用中的功耗仅约1.3W、处于封装能力范围之内。 这些只是估算值、但根据您的最高外壳温度、在您的系统中应该可以有一些余量。

https://www.ti.com/lit/ta / ssztb80/zssztb80.pdf

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用