大家好、
我的客户希望将 BQ76952配置为完全自主的恢复模式、因为发生 OCD1时、他们将
OCD1：阈值= 2 (4mV)
OCD1：延迟= 4 (19.8ms)
OCD：恢复阈值=-100mA
Protections：Recovery：Time= 10s
Mfg Status Init[FET_EN]= 1
但是、发生 OCD1时、BQ76952会在60ms 后关闭 DEFT、这比预期延迟晚。
此外、即使充电电流超过100mA 达10秒、它也不会再次开启 DFET (无法自主恢复)。
我们在这里错过了哪些设置吗？
此致、
查尔斯
您好 Charles、
但是，当发生 OCD1时，BQ76952将在60ms 后关闭偏移，这晚于预期延迟。
什么是 DSG FET 保护 A 设置为？ 如果此寄存器未设置为0xE4、则 DSG FET 可能需要长达250ms 的时间来关闭。 从技术角度而言、将其设置为该值可绕过固件延迟。
此外，即使充电电流超过100mA 10秒，它也不会再次开启 DFET (无法自主恢复)。
此处可能会发生两件事情。
1-我看到 OCD：Recovery Threshold 设置为负数。 他们可以把它改为正面吗？ 恢复在充电电流(正电流)下发生。 它应该可用于-100 mA、但这可能会 令人困惑、因为此时您在告诉固件以-99 mA 电流 或更高的电流恢复 FET 的状态。 将其更改为100 mA、看看它是否解决了问题。
OCDL 锁存计数器可能会递增、并且在锁存计数器下降至零之前、器件不会完全恢复。 请参阅下面的
如果不使用 OCD2和 OCD3、您可以在 设置：Protection：Enabled Protections C：[OCDL]
此致、
何塞·库索
您好、Jose、
我的客户已将 DSG FET Protections A 设置为0xE4、并将恢复阈值从-100mA 更改为100mA 、但是他们发现恢复阈值实际上是200mA (充电电流)、它与设置不一致、这是什么可能的原因？ BTW、无论恢复电流阈值如何、都可以在固定的一段时间(like10s)后设置 BQ76952从 OCD1恢复吗？
此致、
查尔斯
