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[参考译文] UCC5350-Q1:为 SiC mos 驱动中使用的负偏置电路选择电容器尺寸

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5350
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1349536/ucc5350-q1-capacitor-size-choose-for-negative-bias-curcuit-used-in-sic-mos-driving

器件型号:UCC5350-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC5350

您好!

    我看到 UCC5350的负偏置电路示例如下所示:

    ,如何设置 CA1和 CA2的值?

    有什么建议吗?

 此致

 箭头

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    您好 Arrow、

    您需要这些电容器的串联组合的大小至少是被驱动 FET 输入电容的20倍。 例如、 IMZA75R020M1H 的 Ciss 为2.2nF。 C1 +系列 C2至少为44nF 以使用此栅极驱动器驱动此 FET。  

    此外、如果这些电容器尺寸相同、则启动瞬态电压将以"信号发射极"为中心、不会调节为电阻器设置的值。 将电容分压器调整为正确的直流值可避免此问题。

    以简单的数字示例为例、假设我的目标串联>44nF、而我的目标电压为-2V 和+20V。 我的电容分压器应该是1/21。

    CA1可能为47nF、并且

    Ca2可能为1uF

    以满足这两个要求。 它们的串联组合为44.9nF、其刻度为.9/20、这对于这个目的足够接近。

    此致、

    肖恩   

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    你好、Sean

    感谢您的澄清。 现在我完全清楚了。

    此致

    箭头