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器件型号：BQ25730 主题中讨论的其他器件： BQ25713B、 BQ25713
新项目需要从 BQ25713B 切换到 BQ25730。 目前充电电压都是正常的、但测试发现这两个芯片的 PTM 功能不兼容。 BQ25713B 的 PTM 通常可用、但如果您使用 BQ25713B 进入 PTM 模式、VSYS 将降至约4V。 比较两个芯片的原理图、我们发现 BQ25730消除了 PTM PINSEL、而增加了 BATFET 控制。
根据 BQ25730的手册说明、要进入 PTM 模式、只需将 EN PTM 设置为1、但根据操作将 EN PTM 设置为1后、不会进入 PTM 模式、电压会波动。
此外、在 EN PTM 的说明中、0被自动置位。 " PTM 使能寄存器位、它将自动复位为零"
如果可能的话、请提供功能代码或者相关指令的 PTM 部分、其中的寄存器需要运行、谢谢！
