您好、TI 团队、
我在 LM5177上有问题。
基于我们的设计,测试条件如下:
Vin = 52V、Vout = 56V、Iout = 11A、
FS = 300kHz、L = 3.3uH、PSM 已启用。
在我看来、它在升压模式下运行、降压上层器件的 MOSFET"Q1"已永久开启、但我们发现 Q1随机关闭、继而导致电感器电流急剧下降。
CH1：升压下臂 MOSFET 的 VDS、CH2：COMP、
CH3：Vout (具有50V 偏移)、CH4：电感器电流
(我们已经测试了 Q1的 VGS、但没有显示在图片上。)
您对此问题有何看法？
谢谢。
Stefan、您好、
我认为这是一个新版本、LM5177上标记了"31KG4 CK78"、并且我有关于 LM5177的另一个误区、如下所示：
当转换器以旧版本"28kG4 CT3R"在稳定状态下运行时、Comp 和电感器电流随机振荡。
这种异常情况通过更改旧版本(28kG4 CT3R)为新的"31KG4 CK78"消失了,问题是否完全解决,即使我将 SI MOSFET 更改为 GaN FET(高 dv/dt )?
现在、我有另一个基于 EPC GaN 的设计、但软启动机制和开关状态会出现一些异常情况。
软启动发生如下所示的剧烈振荡：
它是否与前面提到的类似？
CH1：COMP、CH2：升压下臂 MOSFET 的 VDS、
CH3：Vout、CH4：电感器电流
异常开关状态如下所示：
RT/CT 设置为300kHz、但在升压模式下、它在电感器电上的开关频率高于300kHz、我们发现开关噪声反映在 Comp 引脚上。 "你怎么知道的?
CH1：COMP、CH2：降压上臂 MOSFET 的 VDS、
CH3：Vout、CH4：电感器电流
谢谢此致。
Stefan、您好、
如何在 PSM 模式下避免错误的峰值检测？
R C 的电流滤波器参数为20 Ω+ 1nF。
我们已经测试了降压和升压模式、异常状态仅在升压模式下发生。
COMP 引脚上的噪声仅出现在 GaN FET 上、但没有 SI MOSFET
SI MOSFET 的测试结果如下:
CH1：无、CH2：COMP、
CH3：Vout、CH4：电感器电流
SS/ATRK 引脚时的启动波形如下所示：
CH1：电感器电流、CH2：SS/ATRK、
CH3：Vout、CH4：无
这里是我们的补偿电路。
尊敬的 Marshall：
感谢您的评分
我会和设计团队讨论这个问题、1-2天后回来。
为避免启动时出现高电流峰值、您可以增加软启动时间。
您是否还可以按照如下所述将额外的滤波器添加到 CSA/CSB (注意：即将此信息添加到数据表中刚刚开始)
特别是 C (COMMx)
请告诉我、这是否有助于通过 GaN FET 改善此行为
此致、
斯特凡
Stefan、您好、
我看不到你提供的图片,但我们被告知如下。 这和你的一样吗？
不过、我们再次使用 CM 滤波器测试启动情况(CCOM = 100pF)、在 SI-MOSFET 版本下有一些改进、但在 GaN 版本下无法正常运行
开关频率很奇怪、这与我们的原始设置不同(310kHz 更改为150kHz)。
顺便说一下、 我们发现了一个在更改 CS 引脚上的 CM 滤波器之前测试的新问题、如下所示
开关频率在稳定状态下会随机变为更高的频率。 是否 像 您之前提到的那样存在错误的峰值检测问题？
测试条件：
Vin = 36V、Vout = 52V、Iout = 13A、RT/CT = 310kHz、SI-MOSFET
尊敬的 Marshall：
不知道为什么这张图片没有显示,但这是相同的信息你有.
串联电阻 RDIFF1/2的阻值均应为100 Ω。
然后可以使用以下公式计算 C (Diff)
C (Comm1/2)每个应为47pF。
对于上面的示波器图、您能告诉我通道分配。
也不妨检查布局。
此致、
斯特凡
