您好!
我们使用的是 TPS3897P、其中 tpd (r)设置为通孔电容为5s。
当器件上电时、我们可以 看到在 Vcc 之前加电、然后使能在 VCC 之后大约200ms 变为高电平。
由于 ENABLE 是检测到的并且 VCC 已经很高、因此我们"认为"输出会立即变为高电平(TDP = 200ns)、但我们看到 SENSE_OUT 在上升至高电平之前的5秒内保持低电平。
是否在上电时预计会发生这种情况?
谢谢。
格伦
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您好!
我们使用的是 TPS3897P、其中 tpd (r)设置为通孔电容为5s。
当器件上电时、我们可以 看到在 Vcc 之前加电、然后使能在 VCC 之后大约200ms 变为高电平。
由于 ENABLE 是检测到的并且 VCC 已经很高、因此我们"认为"输出会立即变为高电平(TDP = 200ns)、但我们看到 SENSE_OUT 在上升至高电平之前的5秒内保持低电平。
是否在上电时预计会发生这种情况?
谢谢。
格伦
你好、Joshua、
我整理了一个 SPICE 仿真来说明我们看到的情况。
在原理图中、我对 CT 使用了500nF、这相当于从 SENSE 上升到 SENSE_OUT 上升大约2s。
在全部3种情况下、SENSE 在 VCC 之前0.5s 处于高电平。
image1 -在 VCC 中启用
图像2 -在 VCC 后启用延迟1s
图像3 -在 VCC 后启用延迟2.5s