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[参考译文] LM51231-Q1:LM51231-Q1 MOS 散热设计

Guru**** 2564565 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5155-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1224626/lm51231-q1-lm51231-q1-mos-heat-dissipation-design

器件型号:LM51231-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5155-Q1

您好、专家:

非常感谢您对我日常工作的热情帮助!

我的客户使用 LM5155-Q1作为音频放大器的电源。

POUT=160W、Vout=14.4、Vin=10.7、FSW=2.1M、环境温度80℃

如果客户使用 EVM 上显示的4个 MOSFET、Mos 的功率损耗会太高。 而且、EVM 上的 Fsw 大约为400kHz。 客户是否应该  在 PCB 上进行外部 MOS 散热设计?  

如果客户使用2个 MOSFET、是否有任何可供其使用的命令 MOS?

此致

伊梅尔达

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Imelda:

    也很高兴通过 e2e 与您交谈。

    我想  LM5155-Q1是一个拼写错误、对吧?

    除了您从我们的各种 EVM 中了解的 FET 外、我实际上无法给出其他任何 FET 建议。

    对于高开关频率、FET 的寄生电容应较小、以保持较低的开关损耗。

    高侧 FET 的 RDS 不得过低、否则 LM51231的零电流检测将不再起作用。  

    导通损耗应与开关频率完全独立。

    此 EVM 配置为24V 输出电压。 是否已修改?
    此外、是否已针对2.1 MHz 修改了 EVM?   
    这至少需要更换电感器。

    在未修改的 EVM 上、当从 VIN=14V 变为 VOUT =24V 并连接160W 负载时、我可以估算在室温下、在没有任何气流的情况下 FET 会升温至大约100°C。

    在2.1MHz 下运行时、开关损耗会更高。

    因此、如果环境温度已经处于80°C、我肯定会预计 FET 将需要一些冷却方法。

    此致

    哈利