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器件型号:LM62460-Q1 尊敬的 TI:
对于高频开关稳压器、开关损耗变得更加重要。 数据表中不包含本主题中的太多信息、您能否提供详细参数? 死区时间、开关 MOSFET 参数(上升、下降时间、Coss 等)、体二极管(正向电压、反向恢复电荷)和 Rboot 电阻器的影响。 是否有根据 Rboot 电阻器计算高侧上升时间的公式?
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尊敬的 TI:
对于高频开关稳压器、开关损耗变得更加重要。 数据表中不包含本主题中的太多信息、您能否提供详细参数? 死区时间、开关 MOSFET 参数(上升、下降时间、Coss 等)、体二极管(正向电压、反向恢复电荷)和 Rboot 电阻器的影响。 是否有根据 Rboot 电阻器计算高侧上升时间的公式?