主题中讨论的其他器件:LM5050-2
您好!
我在功率板上使用了两个 N-MOSFET、一个 N-MOSFET 用作理想二极管(我使用 LM5050-2与 N-MOSFET 配合使用)、一个 N-MOSFET 用作负载开关。 但我担心在不损坏 N-MOSFET 的情况下可以有多少电流流经 MOSFET、因此我做了一个简单的测试:我将一个电子负载连接到 N-MOSFET (理想二极管)的漏极引脚、以消耗1A-10A 的电流、 然后测试了 N-MOSFET 的温度以检查是否出现了热点问题、我发现即使在10A 电流负载下 MOSFET 也根本不发热、我完全不明白为什么它不是热点。
我的问题是、我应该如何计算 MOSFET 的功耗?
1:我用数字万用表测量了源漏极之间的电压差、电压差非常小、约为0.1V、假设电压差为0.1V、电流为10A:
P=0.1V*10A=1W?
或
2:P=I*I*RDS(ON)=10A*0.058欧姆=5.8W?
当 N-MOSFET 作为理想二极管工作时、电流从源极流向漏极、当电流从漏极流向源极时、源极和漏极之间的电阻是否与 RDS (on)相同?
谢谢
开尔文