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大家好、
你好。 我是代表我们的客户发布此咨询。
"根据 Webench 平衡设计:
webench.ti.com/.../SDP.cgi
当改变不同温度设置时、电感器 XAL1010值在项目创建后1周更改。
同时 MOSFET 也从单侧更改为并联低侧。
这种不一致的设计令人困惑。
1uH XAL 建议设计在实际设计中表明效率会降低。"
请帮助提供建议。 感谢您的支持。
此致、
马尔文
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大家好、
你好。 我是代表我们的客户发布此咨询。
"根据 Webench 平衡设计:
webench.ti.com/.../SDP.cgi
当改变不同温度设置时、电感器 XAL1010值在项目创建后1周更改。
同时 MOSFET 也从单侧更改为并联低侧。
这种不一致的设计令人困惑。
1uH XAL 建议设计在实际设计中表明效率会降低。"
请帮助提供建议。 感谢您的支持。
此致、
马尔文
您好、Eric、
你好。 感谢您的答复。 请查看我们的客户的反馈。
这种情况发生在上周和本周。
不同温度设置下的电感器值存在偏差。
同时、较高温度设置时、并联 MOSFET 配置一直显示错误。
我不确定这是否是 Webench 中的一个错误、是否存在固有的计算功能。
在并联设置下选择 MOSFET 型号会产生单个 MOSFET 结果、甚至内部 MOSFET 编号也会显示为1而不是2。
请确认以上问题:
1) 1)偏离设计
2) MOSFET 并联错误
3) 3)效率计算与错误保持一致
请帮助提供建议。 感谢您的支持。
此致、
马尔文
尊敬的 Marvin:
LM5116 WEBENCH 模型在最近几周内没有变化。 我们正在观察一致的设计。 请分享 您正在寻找的各种温度下的 WEBENCH 设计。 这将有助于我们在问题上更加明确。
请注意、WEBENCH 设计针对以下参数进行了更改。
输入电压
输出电压
3.输出电流
4.温度
5.优化
6.高级 用户选项
以上参数的任何变化,WEBENCH 算法决定了新的工作频率,并重新选择了外部元件,如 FET、电感、电容、电阻。 然后、针对所选元件完成效率(功率损耗)和稳定性(环路模型)计算。
它看起来 WEBENCH 设计针对不同的温度发生了变化、因此电感值的变化、MOSFET 数量和效率计算都会受到影响。
如果您有任何疑问、敬请告知。
谢谢。此致、
普拉芬
您好 Praveen:
感谢您的答复。 请查看我们的客户的反馈。
"背景信息为:
webench.ti.com/.../SDP.cgi
让我来指导您将必要的信息转发给论坛:
VIN 和 Vout 都是固定的、因为我的链路共享。
未设置自定义参数、也称为频率或软启动修改
仅可更改目标电感器 XAL 系列的设置(相同的值、除非值必须更改)
分别是1.5uH 和1.8uH。
现在、偏差是由我们身边只能看到的两个因素造成的:
1) 1)所有设置保持不变、但环境温度从5 C 阶跃上升。
2)设置温度后、需要并联 MOSFET 并使用替代方案、并且并联 MOSFET 不再显示在 Webench 的原理图中。'
请帮助提供建议。 感谢您的支持。
此致、
马尔文
尊敬的 Marvin:
请在下面找到我的答案。
1) 1)所有设置保持不变、但环境温度从5 C 阶跃上升。
普拉芬 正如我前面提到的,随着 温度值的增加,Webench 算法 决定了新的频率来优化设计,重新计算电感值。 等等。 上述 webench 设计的频率为190.49KHz、电感值为1.8uH (XAL1580-182MEB )。如果我们将温度升高到75摄氏度、则计算出新频率、将频率设为181.65KHz、重新计算电感值为2.2uH (XAL1010-222MEB)。
https://webench.ti.com/appinfo/webench/scripts/SDP.cgi?ID=529E5ABE41AC6F6E
2)设置温度后、需要并联 MOSFET 并使用替代方案、并且并联 MOSFET 不再显示在 Webench 的原理图中。'
普拉芬 :如果我们继续以较高的值提高温度,WEBENCH 算法会尝试在较高的温度下从数据库中找到合适的 FET。 如果 webench 无法获得合适的 FET、则选择 Idea FET、以便用户可以 根据 其要求手动替换板上的 FET。
例如:如果我们在上述 WEBENCH 设计中将温度增加到110摄氏度、则会选择理想 FET、而不会选择任何替代选项。
https://webench.ti.com/appinfo/webench/scripts/SDP.cgi?ID=B031E37160CEA020

请分享 webench 设计与 STEP 温度升高,我们将告知您我们的观察结果。
谢谢。此致、
普拉芬
您好 Praveen:
感谢您的答复。 请查看我们的客户的反馈。
"并联 MOSFET 的问题是当允许非理想 MOSFET 并且建议使用并联设置时。
Webench 中的 MOSFET H、L 侧的建议列表中也提供了备选器件。
选择任一替代方案都会导致在 Webench 中设置单个 MOSFET、但 MOSFET 模型与并联情况相同、但 H 侧或 L 侧 MOSFET 只会发生变化。
这肯定是一个错误、或者会引入内部计算故障、因为这表明 MOSFET 的#也显示在 H 桥的每一侧为1。"
请帮助提供建议。 感谢您的支持。
此致、
马尔文