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器件型号：TPS2116 主题中讨论的其他器件： LM7310
您好！
可以将 P-ch FET 与 TPS2116的其中一个输入串联使用吗？ 
预期值等类似情况。
谢谢！
您好！
该 FET 是否可用于反极性保护？
我们利用我们的理想二极管控制器(外部 MOSFET)和电子保险丝(外部 MOSFET)产品系列、提供具有反极性保护的集成解决方案。
电子保险丝产品系列： https://www.ti.com/power-management/power-switches/efuse-hotswap-controllers/products.html
LM74500等理想二极管在与外部 N 沟道 MOSFET 配对使用时、可用作反极性保护控制器、从而针对输入电源反转提供低损耗保护、如下所示：
以下文档在部分中对此进行了进一步详细说明： 5.2基于 P 沟道和反极性保护控制器的解决方案的性能比较
从电源多路复用器的角度来看、实现任何这些集成方法或 PFET 本身都不会有问题。 如果您对理想二极管或电子保险丝器件还有任何疑问、请创建新主题、以便相应的工程师可以处理您的问题。
此致、
伊丽莎白
您好！
您能为我检查一下这个原理图吗？
谢谢！ 
大家好、Saero、
为了澄清、正如当前的原理图所示、VIN1将具有外部反极性保护、但 VIN2不会。
假设 VIN1和 VIN2电源轨都为5V、当 IN1降至2V 左右的典型值时、器件将切换到 IN2。
可使用以下常见问题解答底部的 Excel 计算器更改外部元件、从而更改该切换电压：
此致、
伊丽莎白
大家好、Saero、
ST 引脚是一个开漏引脚、可以连接到任何电压轨、以便 ST 信号为高电平、除非被器件拉低。
这样、ST 引脚可连接到 Vout 或 PR1。 将 ST 连接到 PR1的好处是、它会在决定在 IN1到 IN2之间切换回 IN1时增加迟滞。 选择 IN2时、ST 被拉至低电平。 如果 ST 连接到 PR1、则会拉低 PR1引脚电压、以确保其从评估点 VPR1>VREF 进一步下降。
这是添加到设计中的可选功能、以下常见问题解答中对此进行了进一步介绍： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1023453/faq-tps2121-how-do-i-achieve-a-seamless-power-switchover-using-ti-s-power-mux-devices
如果 ST 连接到 PR1、可以通过为 Rhyst 施加电阻、或如果 ST 未连接到 PR1、则可以在具有或不具有迟滞的情况下使用 Excel 工作表、您可以将 Rhyst 保留为0k Ω。
对于 IN1降至4.5V 后从 IN1切换到 IN2的情况、您需要在 PR1上放置一个更接近以下值的分压器：
这里的示例说明了增加迟滞如何将切换阈值从 IN2更改为 IN1。 在前一个图像中、一旦 IN1超过典型值4.5V、就会再次选择、现在直到它超过典型值4.9V、才会选择 IN1。
此致、
伊丽莎白
尊敬的 Elizabeth：
谢谢你。 由于这是第一个测试设计、因此我计划跳过迟滞。 您能否查看下面的原理图并建议电路是否可以更简化？ 
