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[参考译文] TPS55288:原理图审阅

Guru**** 2443330 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1221253/tps55288-schematic-review

器件型号:TPS55288

您好!

您能否帮助查看下面 Vin = 12V/20V 到 Vout= 20V/4.25A 应用的原理图?

谢谢!

杰夫

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    尊敬的 Jeff:

    我可以知道这里的应用和产品类型是什么吗?

    输入电压是在12V-20V 之间还是刚刚选择了12V 或20V? 输入源是什么? 其他设备中?

    我明天会给你答复。

    此致、

    布莱斯

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    布莱斯、您好!

    对于北美总线电源应用来说、VIN 是12V 还是20V、我不是很确定。

    谢谢!

    杰夫

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    尊敬的 Jeff:

    请查看我的以下评论:

    (1)建议在输入侧添加两个三个10uF 陶瓷电容器以共享电容器 EC1的输入电流纹波。 并在 Vin-Q6-Q7附近放置一个0.1uF 0402电容器、请参阅布局指南。

    (2)由于平均电感约为20V * 4.25A/0.9/12=7.9A、所以电感需要更改为更高的饱和电流电感。 因此电流电感器不合适。

    (3)请确保 SCL/SDA 都被上拉至 VCC。

    (4)我看到原理图2MHz 上的注释、但 Rfsw=20k、这设置了1MHz 开关频率、这对1MHz 或2MHz 在12Vin/20Vo、4.25A 时是一个挑战、我们建议设置 Fsw=400kHz 并选择4.7uH 电感器。

    (5)请将 AGND 用于所有信号引脚、并连接到 VCC 电容器上的 PGND。

    (6)强烈建议遵循布局指南、布局对于完美运行非常重要。

     www.ti.com/lit/an/slvaer0b/slvaer0b.pdf

    (7) MOSFET 对于此类高功率应用和高 Fsw 至关重要、建议选择新的 MOSFET 并使用计算工具估算损耗。

    https://www.ti.com/lit/zip/slvrbf9

    此致、

    布莱斯

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    布莱斯、您好!

    谢谢!