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[参考译文] LM5146：原理图审阅

admin
Guru**** 2380580 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146, LM76005, CSD19502Q5B, CSD19534Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1213050/lm5146-schematics-review

器件型号：LM5146
主题中讨论的其他器件： LM76005、 CSD19502Q5B、 CSD19534Q5A

大家好、

我们在  原理图中使用了 LM5146RGYR 开关元件。 我们曾使用过几个示例、我已将原理图附在下方、请查看原理图并与我们分享您的宝贵反馈。

谢谢。此

致、 - Teja
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    TI__Guru**** 2380580 points
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    您好，Desireddy。

    为什么要在 LM5146的 VIN 上放置铁氧体磁珠？

    我认为这是没有必要的，应该删除。

    请填写并附加两个设计计算器电子表格、以便我们检查您的设计： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 

    -奥兰多

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    TI__Guru**** 2380580 points
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    您好、奥兰多！

    感谢您的宝贵反馈。 我们使用的铁氧体磁珠用于滤波。 我填充了两个设计计算器、我在下面附上了附件。 请分享您对此的反馈。 我有一些担心、我们会在设计和限流电阻器和电容器中使用欠压锁定电阻器、因为在这两种情况下、我无法添加比设计计算器出色的相应值。

    我在前面提到了这些值。

    设计 V OUT = 5V

    UVLO

    Ruv1：237K

    RUv2：6.04K，用作分压器，输出约为1.2V

    ILIM

    Rilim：2.2K

    CS：3.9Pf

    设计 V OUT = 5.5V

    UVLO

    Ruv1：237K

    RUv2：6.04K，用作分压器，输出约为1.2V

    ILIM

    Rilim：3.4K

    CS：2Pf

    注： 所有值都是从 webench 设计引用的。

    请找到上述值和随附的设计计算 Excel 并分享您的反馈。

    谢谢、此致\

    - Teja

    e2e.ti.com/.../LM5146_2D00_48_2D00_5.5V.xlsm

    e2e.ti.com/.../LM5146_2D00_48_2D00_5.V.xlsm

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    TI__Guru**** 2380580 points
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    大家好、 Teja

    奥兰多现在不在办公室。 他将于星期五回复。

    - EL

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    TI__Guru**** 2380580 points
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    大家好、

    温柔的提醒。 请分享原理图反馈。

    谢谢。此致、

    - Teja

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    TI__Guru**** 2380580 points
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    尊敬的 Teja：

    您想使用4A 控制器的原因是什么？

    使用 LM76005、您可以实现更简单的5.5V/4A 设计。  

    高侧 FET  CSD19502Q5B 不适用、因为损耗非常高、这会导致效率降低。

    由于占空比非常小(10%)、因此高侧 FET 不需要低 RDSON、因此高侧 FET 导通时间非常短。  

    对于高侧、您最好使用具有较低 QG 的 FET、如 CSD19534Q5A、较低的 Qg 将减少开关损耗。

    电流限制设定值10A 应比输出电流高30-40%、请使用14A。 原理图上的 ILIM 电阻器类似为681Ω、您应该将232Ω 用于该低侧 FET。 请注意、该 ILIM 电阻器取决于低侧 FET 的 RDSON。

    快速入门计算器将根据您所需的导通和关断电压计算相应的值。 所需的最大电流值与接通电压为48V 而关断电压为45.6V 相似？ 请确认。

    补偿值不是很好。 请使用快速入门指南中的推荐值、确保相位裕度大于45度、理想情况下为60度或更大。  

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

    e2e.ti.com/.../LM5146_2D00_48_2D00_5.V-_2800_1_2900_.xlsm