主题中讨论的其他器件: LM76005、 CSD19502Q5B、 CSD19534Q5A
大家好、
我们在 原理图中使用了 LM5146RGYR 开关元件。 我们曾使用过几个示例、我已将原理图附在下方、请查看原理图并与我们分享您的宝贵反馈。
谢谢。此
致、 - Teja
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大家好、
我们在 原理图中使用了 LM5146RGYR 开关元件。 我们曾使用过几个示例、我已将原理图附在下方、请查看原理图并与我们分享您的宝贵反馈。
谢谢。此
致、 - Teja
您好,Desireddy。
为什么要在 LM5146的 VIN 上放置铁氧体磁珠?
我认为这是没有必要的,应该删除。
请填写并附加两个设计计算器电子表格、以便我们检查您的设计: https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC
-奥兰多
您好、奥兰多!
感谢您的宝贵反馈。 我们使用的铁氧体磁珠用于滤波。 我填充了两个设计计算器、我在下面附上了附件。 请分享您对此的反馈。 我有一些担心、我们会在设计和限流电阻器和电容器中使用欠压锁定电阻器、因为在这两种情况下、我无法添加比设计计算器出色的相应值。
我在前面提到了这些值。
设计 V OUT = 5V
UVLO
Ruv1:237K
RUv2:6.04K,用作分压器,输出约为1.2V
ILIM
Rilim:2.2K
CS:3.9Pf
设计 V OUT = 5.5V
UVLO
Ruv1:237K
RUv2:6.04K,用作分压器,输出约为1.2V
ILIM
Rilim:3.4K
CS:2Pf
注: 所有值都是从 webench 设计引用的。
请找到上述值和随附的设计计算 Excel 并分享您的反馈。
谢谢、此致\
- Teja
尊敬的 Teja:
您想使用4A 控制器的原因是什么?
使用 LM76005、您可以实现更简单的5.5V/4A 设计。
高侧 FET CSD19502Q5B 不适用、因为损耗非常高、这会导致效率降低。
由于占空比非常小(10%)、因此高侧 FET 不需要低 RDSON、因此高侧 FET 导通时间非常短。
对于高侧、您最好使用具有较低 QG 的 FET、如 CSD19534Q5A、较低的 Qg 将减少开关损耗。
电流限制设定值10A 应比输出电流高30-40%、请使用14A。 原理图上的 ILIM 电阻器类似为681Ω、您应该将232Ω 用于该低侧 FET。 请注意、该 ILIM 电阻器取决于低侧 FET 的 RDSON。
快速入门计算器将根据您所需的导通和关断电压计算相应的值。 所需的最大电流值与接通电压为48V 而关断电压为45.6V 相似? 请确认。
补偿值不是很好。 请使用快速入门指南中的推荐值、确保相位裕度大于45度、理想情况下为60度或更大。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多