您好、TI 团队、
按下图所示、至少具有高达120V 的高电压保护、单个 N 沟道 MOSFET 设计。
Vs 由齐纳二极管和串联电阻进行保护、如图所示。 同样,我可以知道如何保护 SRC 引脚吗?
可使用另一个 MOSFET (反向保护 MOSFET、背对背 MOSFET)对其进行保护。 但我不能承受这么多的成本。
请告诉我是否可以在 SRC 引脚上安装电阻器和齐纳二极管来防止高压?
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您好、TI 团队、
按下图所示、至少具有高达120V 的高电压保护、单个 N 沟道 MOSFET 设计。
Vs 由齐纳二极管和串联电阻进行保护、如图所示。 同样,我可以知道如何保护 SRC 引脚吗?
可使用另一个 MOSFET (反向保护 MOSFET、背对背 MOSFET)对其进行保护。 但我不能承受这么多的成本。
请告诉我是否可以在 SRC 引脚上安装电阻器和齐纳二极管来防止高压?