[参考译文] TPS51200：最大 REFIN 电容

admin

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1221623/tps51200-maximum-refin-capacitor

器件型号：TPS51200

大家好、

您能在下面查询一下吗？

客户在将 TPS51200用于 VTT_DDR3时、在 VO 斜升期间观察到大约200mV 的过冲。我建议遵循该线程中的解决方案、但它不起作用。他们试图将 REFIN 的电容器从 1n 增大到100n、从而避免过冲并解决问题。我想知道的是、使用100N 的 REFIN 是否安全？数据表未指定此参数的最大值、但示例应用使用1n。

提前感谢。

此致、

马尔文

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2535380 points

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尊敬的 Marvin：

Unknown 说：
我建议遵循此线程中的解决方案，但它不起作用

Unknown 说：
他们试图将 REFIN 的电容器从 1n 增大到100N，从而移除过冲并解决问题。

这是否解决了问题并消除或降低了过冲？在您的第一项陈述中、您说不可以、但在第二条语句中、似乎它起作用了？我想澄清一下、因为这可能对其他/未来的主题有用。

对于 REFIN、此处可安全使用100nF。对于这一增加、ESR 将仍然很低、并且应该仍然保持相同的输入时序。

谢谢。
字段

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2535380 points

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Hi Field、

很抱歉、您对此感到困惑。我的意思是、增加线程中 REFOUT 电容的建议对客户无效、但是、当他们将 REFIN 电容增加到100nF 时、就可以消除过冲。

这就是为什么我要澄清100nF 电容器是否可以接受、而不是根据数据表和 EVM 中的示例布局使用1n

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2535380 points

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尊敬的 Marvin：

感谢您的快速响应和澄清。我很高兴这个解决方案成功了！该主题中的一项建议是增加 REFIN 电容、但正如您所说、也有增加 REFOUT 电容的建议、所以我想确保。但这是很好的消息！

但是是的、这里的100nF 电容应该可以！ ESR 增加将非常低、并且仍然应该随着此变化保持输入时序。

谢谢。
字段

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