您好、专家！
我们的客户希望将 LM74502用作负载开关驱动器。 他的输入为30V。由于 LM74502具有电荷泵、在这种情况下、Vgs 是多少？ 42V 或12V？
此外、他想将直流链路电容器大小的浪涌电流限制在900uf 左右
让我再次澄清一下、他需要高于输入电压的栅极电压作为 Vgs、以驱动 N 沟道 MOSFET 限制直流链路电容器的浪涌电流。 他不确定是 VS = 30V 和 Vgate - Vsrc = 42V 还是12V？
然后他说:
在 LM74502的评估板中、使用了 IPB65R065C7、其 Vds = 600V、Vt (max)= 4V 且 Vgs =-20V。 您认为您的评估板可以处理500V-直流。
假设我在 J5连接器的 IPB65R065C7的漏极提供500V 直流电压、然后由于它是高侧、栅极需要 Vgs > Vs+VT > 500+4 > 504V。因此、Vgs > 504V。
LM74502的电荷泵可提供最高13.9V 的电压作为栅源电压。 如果漏极电压为500V dc、它一定不会以13.9V 的电压将高侧开关 IPB65R065C7导通、而是使 Vgs > 504V。
但是、在"应用简报：使用 LM74502的高侧开关驱动器的三种方法"中、您注意到了 LM74502具有一个内部电荷泵、其产生的栅极驱动电压比输入电源 VS 高12V、这意味着、 如果 MOSFET 的漏极电压为500V、则通过电荷泵、栅极处的电压应为512V、以驱动高侧 MOSFET。 此处情况并非如此、因为它可以提供的 Vgs (max)= 13.9V 不多于该值。
您会解释一下、它如何使其在漏源电压下驱动超过20V 的电压来为直流链路电容器充电、因为我需要超过20V 的栅极电压来驱动高侧栅极。 或者、您是否有 TI 的任何替代建议、使栅极电压高于 Vds = 40V、 输入 Vd = 30V、Vgs (高侧)= Vs+Vt>42V 时高侧 MOSFET 的漏极电压？
请告知。 谢谢你。
此致、
杰拉尔德
