[参考译文] TPS2660：在禁用 OVP 的情况下、DVDT 在反向输入电源连接上运行

尊敬的 Satoshi：

让我检查一下、然后再回来看看这个。

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

感谢您的回复。

我明白了、我期待您的最新动态。

此致、

聪

尊敬的 Satoshi：

在反极性情况下、DVDT-GND 将为负、RTN 至 GND 将为负。 因此 VGS =(DVDT-GND)-(RTN-GND)。  RTN-GND 应更大为负、因此整体 VGS 为正。  

此致

G·库纳尔

尊敬的 Satoshi：

1.可以。可以、两个 TPS26601可以将 RTN 平面保持独立。

2. 是的,应该没问题。

3.这看起来不错。 为此、它们也可以使用 FLT 引脚。 每当 FLT 为低电平时、这意味着 FET 关闭。

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

感谢您的回复。

您能让我来确认与 RTN 和反向输入连接的关系吗？

关于两个 TPS26601的 RTN 平面分隔条件；

当其中一个 TPS26601发生 反向输入电源连接时、 RTN 到 GND 将为负极、正常。

但我想其他 TPS26601的 RTN 不会是负、RTN 将为 GND 电平。  

(另一个 TPS26601的 RTN 假定连接另一个 DC/DC 的 GND)

高于认为是正确的吗？

我关心  RTN 平面分离在 反向输入连接上有问题。

此致、

聪

尊敬的 Satoshi：

是的、您是对的。 当反极性时、测得 GND 的 RTN 将为负值。  但是、如果 RTN 平面独立、会有什么问题？ 两个电子保险丝的 GND 是否相同？

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

感谢您的快速回复、

是的、关注点是 两个电子保险丝的 GND 和电路板不相同。

此致、

聪

对不起,我是被弄糊涂了。

您说的是这种情形吗？

如果您有有用的方框图、

担忧是什么？ 是否会造成一些损坏？

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

很抱歉缺少信息、

已附加组织块图像、请参阅以下内容：

它们是两个电源轨和两条 TPS26601线、单独的 RTN (PGND)模式和公共 GND 模式。  

我的问题是 eFuse② Ω 侧的 FET 损坏。

当已经由9V 供电并且 eFuse① Ω 线路变成 反向输入连接时、 RTN pattern①将为负(VGS =(DVDT-GND)-(RTN-GND))并且没有问题。

我想  RTN pattern②将是 GND 电平、而不是负电平。  

在这种情况下 、我担心 FET 摆幅为负、VGS 电压可能会超过最大额定值。

您能否让我确认一下、上述问题是否正确。

此致、

聪

尊敬的 Satoshi：

你是对的。 我们是否可以将 FET 源连接到系统 GND 而不是 RTN 平面？

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

感谢您的确认、

关于 FET 源到系统 GND、我认为反向输入连接时、栅极电压将为负、源极电压将为 GND 电平。  

系统 GND 的状态是什么？

还有什么问题吗？

此致、

聪

尊敬的 Satoshi：

我明白你的观点了。 您谈论的是 eFuse 1输入变为负值时的情况。 在这种情况下、eFuse 2 RTN 将在内部连接到器件 GND 引脚(系统 GND)。

因此、如果我们将 FET 源连接到 RTN2或系统 GND、则当电子保险丝1面临反极性时、该连接是相同的。

是的、VGS 将为负。  但我认为它不会超出输入电压范围。 如果我们可以选择接近最大反极性的 VGS 额定值的 FET、则应该没有问题。 FET 可以处理正负 VGS。

阻止反向 VGS 的另一种方法是添加一个类似如下的二极管：

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

感谢您提供的信息、我理解。

①了另一个考虑对象、这是一个保护电子保险丝0 Ω 侧系统 GND 的配置、如下所示。

此电压是否足以防止反向输入连接？

如果你觉得不可能,你会告诉我,找到修订的点,等等。

此致、

聪

尊敬的 Satoshi：

我觉得很好。

此致

G·库纳尔