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器件型号：TPS23770 您好！
我们的 PoE 设计面临一个问题、在隔离型反激式降压转换器拓扑中、次级 MOSFET 出现故障(源漏短路)。
当我们测量 U19 MOSFET 的漏极和栅极时、我们观察到电压尖峰。
附上原理图片段和示波器图像供您参考。
MOSFET 发生故障的根本原因可能是什么？
提前感谢您。
您好！
我们的 PoE 设计面临一个问题、在隔离型反激式降压转换器拓扑中、次级 MOSFET 出现故障(源漏短路)。
当我们测量 U19 MOSFET 的漏极和栅极时、我们观察到电压尖峰。
附上原理图片段和示波器图像供您参考。
MOSFET 发生故障的根本原因可能是什么？
提前感谢您。
尊敬的 Alen：
感谢您与我们联系！
我认为这可能是由功率回路和栅极驱动回路共享的共源电感/电阻导致的。 此外、变压器绕组的漏电感 也会导致过冲。
我看到您这里有两个 BZX84C18-7-F 18V 齐纳二极管。 它们应该有助于钳制 Cgs 电压。
此致、
帝昂
尊敬的 Alen：
如果 Vgs 波形为真(忽略耦合到探头的噪声)、则可能由于过冲高于20V 而损坏栅极氧化层。
您还能测量 U19的漏源电压吗？ 您可能会尝试添加 RC 缓冲器来吸收漏电/杂散电感中存储的能量、以便减少电压过冲。
此致、
帝昂
尊敬的 Diang：
附加了 U19的漏源电压 snip 以供您参考。
我们尝试了阻值为10 Ω 和2200pF 的 RC 缓冲器、这是 TI 已经建议的、但我们没有观察到波形有任何改进。 因此、提出一些其他 RC 缓冲器值来解决这一问题。
此致、
阿伦
