您好！
我们将 输入电压升高到 TPS7A2518DRVR 的 VIN、步长为25mV、EN 直接连接到 VIN。 然后、我们会体验到、随着 VIN 达到~1.3V、VOUT 电压开始上升(从0V 开始)。 这本身并不奇怪、因为 VIN 的裕量高于规定为最小使能电压的0.9V。 但是、当我们继续升高电压并经过1.375V 时、VOUT 再次变为0V。 然后它将保持不变、直到 VIN 增加到接近2.1V。
负载在单一 mA 范围内。
这是预期行为、还是应该在我们的系统中持续寻找产生该行为的其他一些因素？ 
感谢您 Erin、他的意见非常好。
希望你不介意我有几个跟进的问题。 我在这里写下了第一组问题、但经过进一步的分析、我决定专注于这些细节(因此我做了一些调整)：
1.我认为通过在 VIN 和 EN 之间施加1/3分压器、我应该能够避免在初始问题中所述的 LDO 提前启动。 1)我需要知道：1)我始终设法使用我的 VIN 电平开启 LDO、2)不要过早开启 LDO。 数据表似乎只显示了最小0.9V 电平、但没有最大值。 您对此有任何输入吗？或者我如何知道我的 VIN 电平是否足够高、能够触发 EN？
在我的设置中、2.15V 左右的 VIN 似乎是 LDO 最终启动并可提供1.8V 电压的电平。 但是、一旦 LDO 开始为输出电容器充电、我就会看到由于 VIN 下降而产生振荡(见下图)。 我想这与以下情况有关：当从低电压启动时、MOSFET 基本上完全打开、而输出电容器会放电、另外我在1uF + 100nF 输入电容器的正后方具有240欧姆的串联电阻。 240欧姆电阻器是必需的、它们无法拆除或减少。
我使用 LDO PSPICE 模型进行了测试、想知道我似乎离工作有多远。 结果是、如果我将输出电容降低到1uF (根据数据表、考虑到直流降额为~1.8V、这里的最小值设置为500nF)、则在输入端仍需要大约15uF (降额值)来消除振荡。 这应该对应于启动电压(2.5-3V)下大约47uF 的电容。
对于如何解决此振荡行为的任何意见或建议、现在我无法移除240欧姆串联电阻？
