[参考译文] TLV741P：TLV741P 是否需要外部二极管来提供反向电压保护？

尊敬的 Shinichi：

qingsheng zhong 说：

此注释对于 TLV741P 是否相同

是的、该注释是我们所有 PMOS LDO 的一般注释、反向体二极管允许电流流动、 但我们 LDO 内部的晶体管并非设计用于此目的、因此重复的反向电流超过其额定正向电压的5%时运行被证明会对器件的使用寿命产生负面影响、因此我们不建议客户以这种方式运行。

这在很大程度上是为了确保器件在指定的数据表条件下继续运行。 当强制反向电流通过体二极管时、会导致性能下降、因此添加肖特基二极管能够使电流流动而不会损坏器件本身。

此致、

约翰

尊敬的 Shinichi：

如果我的解释令人困惑、我会感到抱歉。 对于 P 沟道器件、由于反向电压条件、漏极电势高于体、此 PN 结导致电流从漏极流至 PMOS 体、该体流过输入轨。 就 NMOS 而言、体二极管是从 P 型掺杂体到 N 型掺杂的漏极形成的。 这是一个 PN 结、当源极和体连接在一起时、形成由此产生的体二极管。

简言之、结再次形成、对于 NMOS 器件、恰好在相反的方向形成、因此、可能发生重大损坏之前5%的建议值仍然是我们对于反向电流的建议值。

链接至 LDO 的进一步说明和保护思想

此致、

约翰

尊敬的 Shinichi：

是的、 它有一个时间分量、如果反向仅为飞秒、则可能不会发生损坏、因为二极管永远不会真正饱和到足以在如此短的时间窗口内导通。

遗憾的是、我们未表征通流器件击穿的时间常数。 因此、我无法提供可以安全运行的特定值。 虽然热性能肯定不会那么快地饱和、但关于电迁移和闩锁事件的担忧仍然存在。

此致、

约翰