[参考译文] LM3481：有关 SNVA761A 的公式

尊敬的  Brigitte：

感谢您的更正。

您好、Liu、

今天,我不会找到时间来讨论公式。 请在一周结束前给我一个机会,让我回到你的身边。

此致、
布里吉特

尊敬的  Brigitte：

感谢您的答复。

等待您的回复。

此致、
汤姆

您好、Liu、

感谢您的耐心。 目前我们有2天的银行假期,所以会有些延迟。

此致、
布里吉特

尊敬的 Yang：

 公式11中有错误。 我们会尽快修改。

请参阅 SNVA866

• 3.4 MOSFET 选择
• 3.5二极管选型

此致、

冯志

尊敬的  Feng：

感谢您的答复。

您能告诉我、 eq.11怎么 不正确吗？

此致、
汤姆

您好、Liu、

我还研究了应用手册中的公式、并且我同意公式和结果不一致。
我发现大家的值有一些微小的变化、例如 I_lm 不是峰值电流(I_pk_lm)、而是等式6的平均电流、比9.13A 稍低一些。 但是、结果与应用手册中的结果仍有很大差距。

我正在研究 公式的来源以确定必要的校正、但我建议查看用于确定 FET 和二极管最大额定值的其他工具。
我们提供了一种称为 Power Stage Designer 的计算工具、它可以根据输入、输出和电感器参数快速概述反激式拓扑中存在的最大电流和电压。
该工具可从以下网站下载：
https://www.ti.com/tool/POWERSTAGE-DESIGNER

我将在下周之前向您介绍我的最新调查结果。

此致、
尼克拉斯

您好、 Niklas、

非常感谢您的详细答复。

现在等您进一步更新。

此致、
汤姆

您好、Tom、

下面是 FET 选择问题的更新。
我仍然无法在 MOSFET/二极管选择一章中找到通过哪些参数来获取这些 IRMS 和 Ir_diode 电流结果。
应用手册中的公式应该是正确的、但似乎公式中输入的输入参数与第4章开头提到的规格表不一致(输入电压5-32V、输出电压12V、输出电流2A)。
我假设显示的计算结果适用于不同的输入参数。 这也解释了为什么设计部分中所有公式的结果(例如、24、25、26)在输入规格表中的参数时会有不同的结果。

该应用手册的作者不再属于我们的应用团队、因此获取这些公式的源材料是非常乏味的。
不过、我将着手更正应用手册、以便公式结果适合输入规范、或者规范更新为这些计算所采用的值。

公式本身应该没有问题、因此可以随意将其用于客户设计、理想情况下应仔细检查额定值是否与功率级设计器工具中的最大值一致。

此致、
尼克拉斯

您好、 Niklas、

感谢您的详细答复。

我已将其传达给客户。

此致、
汤姆