[参考译文] LM5060：浪涌电流限制性能预期

尊敬的 Oliver：

欢迎使用 E2E。

我目前正在休私人假。 我会在周一回到你的身边  

您是否使用低跨导 FET 进行了测试？

此致  

勒凯什

没有、该 MOSFET 已经具有同类产品中较低的跨导之一。

我可以尝试一种不适合最终应用的方法、但我看不出其中有太多的意义、因为我确信它在某些条件下可以正常工作、但这不是当前的问题。

尊敬的 Oliver：

几个问题：-

1.您的系统最大输入电压是多少?

2.除了浪涌电流限制外,您是否还需要其他保护,如短路保护?

3.是否有启动时间限制?

您能否将启动测试波形(VIN、GATE、输入电流、计时器电压)与您当前的设计共享。  

请尝试将栅极电容增加到22nF 或33nF。 这会降低压摆率、并应通过降低浪涌电流来改善情况。

我们拥有 关断电流为0.9uA (典型值)的 LM74502-Q1控制器。 这比 LM5060-Q1更好。

此致  

勒凯什

您好！

最大1.50 V

2.不一定、但基本的保护特性会带来好处-过压、过流和短路、但由于 该器件不提供保护功能、因此这些特性不需要精确。

3、不具体,但我认为它需要不到几秒钟。

目前我无法访问该器件、但我可以共享之前测得的 Vout 和电流波形。

我在 MOSFET 的栅极或栅极电容器上没有任何电阻器、因此我假设振铃来自此。 但是、我不知道为什么输出电压会逐步升高、遗憾的是、在测试时我没有时间对其进行深入研究。

LM74502甚至可能更适合此应用、但可用性似乎会 有问题。

您认为让 LM5060在断电后不使用时完全关闭可能会有一些问题吗？

谢谢  Oliver。

我们需要在 Vout 达到最终值之前检查电流为什么开始下降。 LM5060没有自动重试功能、因此请检查 Vin 是否降至 UVLO 阈值以下并复位 LM5060器件。  

请分享更多测量信息、还可以尝试使用更高的栅极电容。  

您是否使用并联 FET？ 请分享原理图以供参考。

您好！

我会在下周再做一些测试、然后再和您联系。