主题中讨论的其他器件:、 CSD18531Q5A
嗨、TI 大家好。
我来自斯洛文尼亚公司、是一名固件和硬件开发商。
我们的目标是制造一个能够通过 USB-C 连接持续提供100W 功率的器件。 我们有一个采用 TPS55288RPMR IC 的设计工作示例、该设计以400kHz 的频率运行、并且几乎所有东西都在最大 功率(约100W) MOSFET 变得过热。 我们正在使用 TPS55288EVM-045评估板中的参考设计。 目前、我们使用 CSD18531Q5A MOSFET 可以获得最佳结果、但当我们使用热像仪检查 PCB 时、我们可以清楚地看到 TPS55288也过热、这可能是两个 MOSFET 的栅极电荷导致的)。 问题实际上只是在高输出负载(>70W)情况下。
尽我所能、我看到了栅源电容的问题、在我们的案例中、该问题约为3200pF @ 1MHz (来自数据表)。 相比之下、IPZ40N04S5L-7R4 (TPS55288EVM-045中使用的那个)是690pF @ 1MHz。
当我们将频率升高到2MHz 时、一切都会变得更糟、这是合乎逻辑的。 现在我要问你的问题是:
您能不能向我们推荐库存中的最佳 MOSFET (器件型号)、它就像评估板上使用的原始 IPZ40N04S5L-7R4 (最大 负载)? 问题是、Infineon 的原始器件到处都缺货...
P.S.
400kHz 外壳中使用的线圈为:XAL1010-472ME、2MHz 外壳来自 Wurth Elektronik - 74439358010。