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[参考译文] TPS55288:过热

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS55288EVM-045, TPS55288, CSD18531Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1210527/tps55288-overheating

器件型号:TPS55288
主题中讨论的其他器件:CSD18531Q5A

嗨、TI 大家好。

我来自斯洛文尼亚公司、是一名固件和硬件开发商。

我们的目标是制造一个能够通过 USB-C 连接持续提供100W 功率的器件。 我们有一个采用 TPS55288RPMR IC 的设计工作示例、该设计以400kHz 的频率运行、并且几乎所有东西都在最大 功率(约100W) MOSFET 变得过热。 我们正在使用 TPS55288EVM-045评估板中的参考设计。 目前、我们使用 CSD18531Q5A MOSFET 可以获得最佳结果、但当我们使用热像仪检查 PCB 时、我们可以清楚地看到 TPS55288也过热、这可能是两个 MOSFET 的栅极电荷导致的)。 问题实际上只是在高输出负载(>70W)情况下。

尽我所能、我看到了栅源电容的问题、在我们的案例中、该问题约为3200pF @ 1MHz (来自数据表)。 相比之下、IPZ40N04S5L-7R4 (TPS55288EVM-045中使用的那个)是690pF @ 1MHz。

当我们将频率升高到2MHz 时、一切都会变得更糟、这是合乎逻辑的。 现在我要问你的问题是:

您能不能向我们推荐库存中的最佳 MOSFET (器件型号)、它就像评估板上使用的原始 IPZ40N04S5L-7R4 (最大 负载)?  问题是、Infineon 的原始器件到处都缺货...

P.S.
400kHz 外壳中使用的线圈为:XAL1010-472ME、2MHz 外壳来自 Wurth Elektronik - 74439358010。

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    大家好、

    感谢您联系 E2E。

    当您检测到温升较大时、输入电压范围是多少? 热性能在升压模式下比在降压模式下更糟糕。

    是的、如果开关频率较高、热性能会更差。

    我们建议您在计算工具上估算功率损耗和 MOSFET 损耗。

    https://www.ti.com/lit/zip/slvrbf9

    此致、

    布莱斯

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    感谢您提供这些信息。


    USB-C 的输入电压为20V、因此它始终在降压模式下运行。

    好的、我们将尝试使用微积分工具。

    但是、您能否为我们推荐最初使用的 MOSFET (IPZ40N04S5L-7R4)的最佳替代产品?

    Redards、

    销售经理。

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    大家好、

    如果输入电压始终为20V、我认为该器件会在20Vo/5A 100W 下以降压-升压模式工作。

    总之、 IAUZ30N06S5L140看上去一切正常。

    此致、

    布莱斯