[参考译文] UCC27525：能否将 UCC27525用作高侧驱动器？

您好 Shimizu-San、

您能否分享原理图和波形等更多详细信息？ 我无法打开。 ASC 文件；我认为我需要使用 LTspice 来查看它。 如果您提供了原理图的屏幕截图、我应该能够在 PSpice 中重新创建。  

您应该能够在高侧使用 UCC27525。 采用隔离式电源方案、通过正常基准接地的驱动器之间基本没有区别。  

在如此高的频率下、您是否考虑过使用我们的 LMG1020或 LMG1025等 GaN 驱动器？ 在如此高的工作频率下、UCC27525的传播延迟和电平位移电路将导致输出端大量脉宽失真。 由于我现在无法看到原理图、我不知道您是如何使用 UCC27525的反相输入的、但可以通过一种方法使用优化更好的驱动器。

谢谢。

A·M·

您好、Alex。

感谢您的提示回复。

我知道您无法打开我附加的 ASC 文件。
我附上了原理图和结果的屏幕截图。

生成的图像如下所述。
黄绿色线是施加到高侧栅极驱动器的信号、
红线是应用于低侧栅极驱动器的信号、
蓝色线是高侧栅极驱动器的信号输出。
蓝绿色线是来自低侧栅极驱动器的信号输出。
如图所示、高侧输出信号比低侧输出信号长、并且 GaN FET 在高侧和低侧均导通。

输入信号是否有问题？ 或者我需要外围设备吗？

我还将考虑您提到的 GaN 驱动器。

谢谢你。

Yuta、您好！

我重新创建了这个、但遇到了同样的问题。 传播延迟似乎取决于正弦波的状态。 当我插入 UCC27524模型时、问题消失了。 这些器件的 OUTB 应该是相同的、所以我认为问题在模型中。 我猜、该模型在某个会引起问题的位置包括绝对接地基准。 您是否可以尝试 UCC27524模型并确认它也能正常工作？  

此外、我不清楚在此设置中、您的仿真是如何显示如此快的上升/下降时间的。 对于20Ω 导通栅极电阻、我预计上升时间会超过20ns。 我还会确认在这里测量的峰值电流看起来很真实。

我认为在这里使用 UCC27525器件将是极具挑战性的。 请注意、数据表规格适用于 VDD = 12V 的情况。 在6V 时、将有较低的驱动强度、并且有可能有较高的传播延迟。 我们的 GaN 驱动器经过优化、可在5V 电压下工作、因此 LMG1020或 LMG1025将具有更高的驱动强度、由于分离输出而不再需要反并联二极管、并且传播延迟要好得多。 我很难让该设置在没有寄生效应的仿真中正常工作、但实际上、这总是更困难的。  

最后、我认为您或许能够使用 LMG1205或 LMG1210等半桥 GaN 驱动器。

谢谢。

A·M·

您好 Alex：

很抱歉延迟回复。 我有一个大学活动正好...

然后我使用了 UCC27524模型、它运行良好。

我还了解到、数据表和电路的 VDD 是不同的、并且它没有足够的驱动强度。 我将考虑您教授的驱动程序(LMG1020和 LMG1025)。

(在您的细心指导下、我学到了很多。 非常感谢。)

我想问在未来的研究中、高侧的误差是由 SPICE 模型(绝对接地基准)引起的、还是实际器件中不会出现相同的误差？ 如果您对电路制造有任何了解、请告诉我。

此致、

是的。Shimizu.