[参考译文] LM3409：Qg 的 PFET 大于30nC

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器件型号：LM3409

大家好、

我的客户正在使用36nC 和 LM3409进行 PFET 设计、我对此有一些问题。

9.1.8 LM3409数据表指出、如果 Qg 大于30nC 且 CF 位于 VIN 和 VCC 之间、则电流检测将是错误的。我在阅读数据表时无法理解错误检测机制。能否详细介绍一下当前检测错误的机制？此外、您能否解释一下为何在 Vcc 和 CSn 引脚之间放置 CF 时会出现较小的直流偏移？

感谢你的帮助。

此致、

竹村太人

0 admin 2 年多前

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大家好、Taito-San、

将很快回复您

0 admin 2 年多前

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大家好、Taito-San、

我将草案画如下,希望它可以帮助理解它更容易。当 CF 连接 Vin 时，当 Q1 GATE 充电时，CF 提供的 Igate 电流也与 ILED 电流一起感应。 Qg 较大时、Igate 变得更加显著。

当 CF 连接到 CSn 时、Igate 将绕过 RSNS 电阻器从 CF 流向 CSn、而不是 CSP。请参见下方的。

但是、在 CF 放电后、仍有平均电流流经 RSNS 来向 CF 充电。这会导致 VCST 中出现较小的直流失调电压。

0 admin 2 年多前

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你好 Xiao,

感谢您的回答。非常有帮助。

谢谢。

竹村太人

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