大家好、
我想检查 LDO 中温升的计算。 如果条件是3.3V 至1.1V、Iout = 0.5A。
功率损耗应该是(3.3-1.1)* 0.5=1.1W、需要检查 IC 芯片温度和表面温度。
我的理解是、
芯片温度=结温、正确吗？
2.表面温度=外壳(顶部)温度,是否正确?
如果环境温度= 25°C、那么 功率损耗= 1.1W 时、如何计算 IC 芯片温度和表面温度。 (忽略 PCB 参数)
此致、
罗伊
尊敬的 Edgar：
您可以告诉我在哪里可以找到 psiJT 参数和 psi 全名吗？
实际上、客户的目标是 当功率损耗为1.1W 时、表面温度[case (top)]< 65C。 我们如何使用计算来说服客户温度应该低于65°C。
我还有一个关于 thetaJA 和 THETAJC 之间关系的问题。 为什么 TPS74x-Q1 ThetaJC 大于 ThetaJA？
我们使用了 DRB。
ThetaCA = 55.5-70.7 =-15.2C/W
罗伊
尊敬的 Roy：
psiJT 是结至顶部特征参数：
本例中为 tc=65c、psiJt=4.3、Pd =1.1
TJ=65+(4.3*1.1)=69.73C
根据裸片尺寸、复合模以及器件的安装方式、有时 RJC 高于 RJA、而有时这是相反的情况。
此致！
埃德加·阿科斯塔
