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[参考译文] BQ24735:输入保护 MOSFET 故障和短路问题

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24735EVM-710, CSD17307Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1210119/bq24735-issue-with-input-protection-mosfet-failing-and-going-short-circuit

器件型号:BQ24735
主题中讨论的其他器件: CSD17307Q5A

我们已按照 BQ24735EVM-710评估 PCB 原理图基本逐字实施了该设计、包括使用相同的外设组件(请参阅下面的原理图)。

到目前为止、我们已经看到 Q1 (CSD17307Q5A)在两个原型 PCB 上出现了故障。 我们的电源输入为24VDC、并使用4S1P 锂离子电池组。

我们正在努力了解失败的原因。 如果超过 Vgs、那么我们预计 Q2也会同样出现故障、因为 Q1和 Q2的漏极和栅极连接在一起。 唯一需要考虑的是超出 VDS 电压。 我们希望改为具有更高 Vgs 和 Vds 的 FET、也许将瞬变电压置于更靠近充电器电路直流输入的位置。

欢迎您提出任何其他想法。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Paul、

    功率耗散可能会造成损坏。 Q1通常比 Q2更容易受到电源损坏。

    随着 VGS 升高并且 MOSFET 导通、电流开始流经 Q1和 Q2。

    对于 Q2,体二极管将在 MOSFET 完全导通之前开始导通,因此 VDS 功率将变小。 对于 Q1、没有要导通的体二极管、并且随着 VGS 斜升、MOSFET 必须经历一个高 VDS 周期(ID 相同)。  与 Q2相比、这可能导致 Q1损坏的可能性更大。

    如果是这种情况、则可以选择使用更好的 SOA 曲线来查看 MOSFET。

    谢谢。