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[参考译文] P 通道 MOSFET

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25404Q3, TINA-TI, LM7480, CSD18536KCS, LM5060, CSD18536KTT, LM7480-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1205439/p-channel-mosfet

主题中讨论的其他器件：CSD25404Q3、 TINA-TI、 LM7480、 CSD18536KCS、 LM5060、CSD18536KTT、 LM7480-Q1

对于源开关电路、需要在48V 时触发 PMOS、您能提供帮助吗。 我一直在把 INTO 电压偏差器视为  

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Suhas：

    谢谢咨询。 通过将栅极拉至相对于源极的负极、使 P 沟道 MOSFET 能够导通、从而使其易于驱动。 在电源连接到高于此额定值的电压的应用中、需要将 VGS 限制在其绝对最大额定值以下。 电阻分压器或齐纳二极管和电阻器可用于限制开启器件时在栅极和源极之间施加的电压。 下面显示了一个使用带分压器的 NPN 晶体管的示例。 可以使用 N 沟道 FET 来代替 NPN 晶体管。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    谢谢 John。 我目前正在使用此电路。 我的预期电流为100A。 我需要根据可用性在两个电源之间切换。 因此、使用两个这样的电路应该可以接受吗？ 这是常规方法吗？  

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    您好、Suhas：

    再次感谢您的咨询。 大多数 OR'ing 应用都使用具有 OR'ing 控制器的 N 沟道 MOSFET。 P 沟道 FET 通常比具有相同导通电阻的 N 沟道器件更大且成本更高。 OR'ing 控制器包含用于驱动 N 沟道 FET 的逻辑、计时和电荷泵。 我想您可以在您的应用中使用其中的两个电路。 您必须控制 FET 的时序、我建议为每个 FET 的栅源之间的电容器添加占位件、以防您想要减慢开关速度。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。

    谢谢。

    约翰

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    我已经研究过 ORing 控制器、但其中大多数在50V 电压下工作时始终为负载提供较高的电压路径。 我正在寻找一种解决方案、使主电源始终与负载相连、如果主电源发生故障、辅助电源也应起作用。 从而控制 ORing。 或优先级 ORing。  

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    尊敬的 Suhas：

    我相信您所说的是电源多路复用。 TI 有一些用于电源多路复用的器件、但没有什么可以处理大电流。 我相信您应该能够使用 P 沟道 FET 和相关电路来实现这一点。 如果我能提供进一步的帮助、请告诉我。

    谢谢。

    约翰

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    好的、谢谢 John。 您认为、电压偏离器电路将在进行2个电源的 PMOS 开关时正常工作。 对吧？ 我只需要验证它是否可以正常工作。

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    您好、Suhas：

    我无法保证此电路实现方案能够在您的应用中正常工作。 我有一些问题、包括选择一个能够阻断50V 电压并承载100A 电流而不会导致过多导通损耗的 P 沟道 FET。 您可能需要至少使用一个60V FET 作为裕度并并联多个器件、以降低传导损耗并将热量散发到多个封装上。 TI 不会为该应用生产任何 P 沟道 FET。 另请记住、MOSFET 导通电阻具有正温度系数、并会随着器件由于导通损耗而发热而增加。 最后、请注意、您可能会有反向电流流过 FET 的体二极管、如果输出高于 FET 的输入电压源、二极管会关闭。 为防止这种情况发生、您可能需要使用两个背对背 FET 来阻断反向电流。 反过来、这意味着导通损耗将增加一倍、因为有两个串联的 FET。 如前所述、对于相同的导通电阻、P 沟道 FET 将具有更大的裸片尺寸且比同类 N 沟道 FET 更昂贵。 我强烈建议仿真此电路、以更好地了解它在您的应用中的工作原理。 我使用 CSD25404Q3 -20V PFET 创建了一个缩小的 TINA-TI 仿真、它显示了流经 FET 的反向电流、当输出电压大于该 FET 的输入源电压时关闭。 如果您有兴趣、我很乐意与您分享。

    此致、

    约翰

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    谢谢 John。 我已经对此进行了仿真、并将 PMOS 背对背连接、并并并联了3组以降低电阻。  

    在当前的全局方案中、我所遇到的问题就是对于此类应用程序而言、PMOS 已过时。 如果可以、我可以获得具有 NMOS 的良好电路。  

    重点是我们要更新已经具有 PMOS 的现有电路。 最初它用于24V 电压、我们对现成的驱动器没有问题。 但当输入电压达到48V 时、很难找到驱动器和实际工作电路。  

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    尊敬的 Suhas：

    您可以在应用中使用 LM5060等热插拔控制器或 LM7480等理想二极管控制器。 这两种器件都包含一个用于驱动 N 沟道 FET 的电荷泵。 这将允许您使用 TI N 沟道 FET。 如果您可以使用60V 器件、我们导通电阻最低的器件是 CSD18536KTT (D2PAK)或 CSD18536KCS (可连接到散热器的 TO220)。 TI 还在这些封装中提供了80V 和100V FET。 我不负责热插拔和理想二极管控制器。 如果您有兴趣、我可以将该线程重新分配给负责这些器件的应用团队。

    谢谢。

    约翰

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    我们现在看的是100A。 这些组件是否足够

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    尊敬的 Suhas：

    单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个 FET 的输出电压降至~2.2W。 该工具使用 MOSFET 数据表中指定的最大导通电阻、还根据结温计算导通电阻的增加量。 对于这些估算值、我假设 TJ = 75°C。

    您能否共享您使用的 P 沟道 FET 的器件型号？

    https://www.ti.com/tool/LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC

    谢谢。

    约翰

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    因此任何 PMOS 驱动器都没有50V 电压。 我能为 NMOS 驱动程序获取任何样片吗？ 如果可能\

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    尊敬的 Suhas：

    我不知道有任何 PMOS 驱动程序。 可从 TI.com 上的 TI store 订购样片。

    此致、

    约翰

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    SUP90P06-09L-E3 是我们当前使用的 MOSFET

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    e2e.ti.com/.../Switching.pdf

    我使用此电路进行开关  

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    尊敬的 Suhas：

    感谢您提供更多信息。 您的原理图看起来不错、但您可能需要考虑为栅源电容器添加占位件、以防想要减慢开关速度。 此外、我建议为每个 FET 使用一个低值栅极电阻器(5 - 10Ω)。 这是并联 FET 的最佳实践、如下面链接中的应用手册所述。 您所使用的 P 沟道 FET 的导通损耗(I²R)将为每3个并联 FET 50W (TJ = 125°C)至63.3W (TJ = 175°C)、而背对背 FET 的导通损耗则是这一倍。 我不知道100A 是否为连续电流、或者这是否为峰值电流、而连续电流较低、但这会导致大量功率耗散。 相比之下、如果您在 TO220中将 CSD18536KCS 与 LM7480等理想二极管控制器一起使用、您可以将损耗降至每两个并联 FET 约10W - 12W。 对于背对背器件、该数量是上一倍。 LM7480具有一个集成电荷泵、可驱动背对背 N 沟道 FET。 它包括一些保护特性、并具有使能引脚、允许您选择首选电源路径。

    https://www.ti.com/lit/an/slpa020/slpa020.pdf

    此致、

    约翰

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    电流总共为65A

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    您能否也分享原理图？

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    您能否向我发送 带有提到的电路 u 的 LM7480仿真文件？ 当我看到数据表时、它没有提到可以并行使用。

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    尊敬的 Suhas：

    LM7480由不同的产品线提供支持。 我只对功率 MOSFET 负责。 我将把该线程重新分配给相应的应用团队、以获取他们的输入。

    谢谢。

    约翰

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    尊敬的 Suhas：

    可 从 此处下载 LM7480-Q1 PSpice 和 TINA 模型文件。

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    当然、期待您的参与

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    如前所述、我非常希望电路能够有助于开关操作。 您能将我联系到能够解答问题的

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    请帮我找到 TI 范围内的正确电路

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    尊敬的 Suhas：

    请 详细说明需要在 LM7480-Q1上提供哪些帮助

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     我正在寻找一种解决方案、使主电源始终与负载相连、如果主电源发生故障、辅助电源也应起作用。 从而控制 ORing。 或优先级 ORing。  

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    我正在寻找一种优先电源多路复用器。 LM7480-Q1不一定如此。

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    尊敬的 Suhas：

    LM7480-Q1是实现优先电源多路复用的理想器件。 您需要使用2个 LM7480-Q1驱动每个电源路径中的背对背 FET 以实现 Priortiy 电源多路复用、如下所示。

    要进一步了解此电路、请参阅"设计编号6： 具有优先电源多路复用功能的反向电池保护"一节、其中介绍了采用理想二极管控制器的具有稳健反向电池保护功能的六种系统架构 应用手册。  

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