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器件型号：BQ76952 与 Shyama 一样、我在 PDSG FET 上发生了一些错误导通。 使用该电路、我们的 FET 具有-2V 的 Vgs (min)。 为了在 Vgs 处产生电压、通过1m Ω RGS1只需2uA 泄漏电流。
该泄漏电流可能通过 D6流向接地端或灌入 BQ76952 PDSG 引脚。 图1-10. sluaaf2.pdf 中的 PDSG 引脚等效图显示了泄漏路径。
TI 是否可以在假设85摄氏度的温度下告知该引脚的泄漏电流？
目前、我还为 PDSG 引脚配备了75V 保护齐纳二极管(D6)；半自动 MMSZ5267BT1G。 ON Semi 数据表具有0.08uA @ 150degC 的平坦反向泄漏电流(请参阅图8。 典型漏电流)。
因此、为了计算具有一定余量的 RGS1值(例如、85摄氏度时的电路泄漏电压为 Vgs @ 1V)、我需要考虑进入 PDSG 引脚的泄漏电流。
然后、RGS1和 RG1不得超过 PDSG 引脚的灌电流、BQ76952数据表中指定该引脚的典型值为30uA；请参阅"7.8预充电(PCHG)和预放电(PDSG) FET 驱动器"
在"11.5.2预充电和 PREDISCHARGE 模式"中、数据表建议"PCHG 和 PDSG 驱动器在启用时可灌入的电流受到限制。 MΩ、建议在 FET 栅源极上使用1M Ω 或更大的电阻。" 但我不确定这是否适合我的情况。 我不想在不了解行为的情况下简单地将1m Ω 替换为500KOhm。
我尝试在数据中找到 PDSG 泄漏值。 很抱歉、如果我漏掉了电流、但在85摄氏度时也需要电流、因为用于电池组反向电压保护的电阻器在 BQ76952附近会发热。 我希望电路板保持对持续电压反转的保护。
一切都很好
哈利
