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[参考译文] BQ25792EVM:输入负载开关上升时间

Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25792EVM, BQ25792, BQ24800

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1356328/bq25792evm-input-load-switch-rise-time

器件型号:BQ25792EVM
主题中讨论的其他器件: BQ25792BQ24800

大家好!

我正在使用 BQ25792EVM 评估 BQ25792。

我使用单个 USB 输入、如下所示:

我在 VBUS 热插拔期间测量了负载开关上升时间、大约为100us。

为了减少由相对较高的 VBUS 电容(VBUS 上为2x10uF + PMID 上为3x10uF)引起的浪涌电流、我需要的上升时间略大于100us……可能大于500us - 1msec。

是否可以在 ACDRV 引脚上添加一个 RC 电路(如上所示)以减慢 FET 上升时间?

  如果有更简单的解决办法,我将不胜感激。

谢谢!

近红外

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    您好 NIR、

    这可能会起作用。 在其他器件上增加 MOSFET 导通/关断延迟时间的另一种选择是在 MOSFET 的栅极和源极之间放置一个电容器

    下面是 BQ24800充电器的一个示例。

    此致、

    Christian。

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    尊敬的 Christian:

    将 C2 1nF 替换为68nF 会将上升时间增加到大约600us、这可能已经足够了。

    感谢提示  

    近红外