[参考译文] UCC21750-Q1：驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 之间的差异

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：UCC21750-Q1

大家好、

我注意到 UCC21750-Q1和许多其他类似的隔离式栅极驱动器兼容、可驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。

因此、我想问一下、驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 之间的主要区别是什么？

在使用相同的栅极驱动器来驱动差功率半导体进行设计时、我们应注意什么？

是什么让 TI 的器件可以兼容不同种类的功率半导体？

请给我一些见解以便更好地理解这一点、谢谢！

此致、

制造商

0 admin 2 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

由于这些器件的驱动能力(意味着它们能够提供足够的电流来正确切换晶体管)和高电压隔离、TI 的器件与这些器件兼容。

使用 MOSFET (SiC 和传统 Si)进行设计时、您需要考虑寄生电容和 Rdson 值、因为这些值会改变开关行为、热耗散和功率损耗。使用 IGBT 和 SiC FET (通常更适合大功率应用)进行设计时、您需要确保电压电源始终高于适当的阈值。

与 Si MOSFET 相比、SiC FET 和 IGBT 可处理更高功率的应用。在 IGBT 和 SiC FET 之间、SiC FET 可以以更高的频率进行开关、这可以提高系统中磁性元件(如电感器)的效率。

我们有多个可提供更多详细信息的资源。我们栅极驱动器的数据表中包含用于帮助确定不同开关驱动电流的公式、以及热计算和损耗计算。我建议您查看这些常见问题解答、同时查看以下全面的常见问题解答： (+)[FAQ]栅极驱动器常见问题解答–常见问题解答：-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛

此演示文稿将特别有用： SiC 栅极驱动器基础知识电子书(TI.com) 、其中介绍了电源开关差异和不同的设计注意事项。

此致！

南锡

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