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[参考译文] LM5116:MOSFET 中的失真

Guru**** 2756835 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1207279/lm5116-distortion-in-mosfets

器件型号:LM5116

你好
我在直流/直流转换器中使用 LM5116作为控制器。 当我在电路中消耗大电流时、低侧和高侧 MOSFET 会击穿。 电路中有一个限流电路。 为什么会这样呢?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Tuncay  

    MOSFET 可能会因1)电过冲或2)过热而损坏。

    1)的原因可以是  

    VDS 过压:请检查低侧 MOSFET 漏极处的电压尖峰。  

    VGS 过电压:请检查 VCC 是否为 BVgs

    2)的原因可以是   

    过流:请在输出短路时捕获峰值电流。  

    功率损耗过大或铜面积过小:请测量 MOSFET 温度。 请确保死区时间足够。

    - EL