[参考译文] LM3409：输出行为驱动器

下降曲线受电感器压摆率的限制：l* di/dt= Vo  

您可以考虑降低 调光频率、减小电感或考虑并联 FET 调光。  

此致  

XG  

感谢您提供的信息。
但我设置了与数据表中相同的调光频率。 因此、我无法理解该行为。 电感已经降低了。

当电感器电流降低时、应用中的 Vo 为2-3V、  

这意味着在采用相同电感器的情况下、di/dt 远低于数据表(VO = 42V)中的 di/dt。  

BTW、当 Vf 为低电平时、iLED 也非常低。 因此、波形中显示的电流可能还包括其他电流、例如电容器的放电电流。 ILED 小于测试电流。  

我已经仿真了并联 FET 调光。 不过、我可能仍然有误差。
您能检查我的错误可能在哪里吗？

我尝试了2种变体。

进入评估板后：

在进入数据表后：

负载不正确。  

使用0.075欧姆的感应电阻器时、输出电流设置为3.2A。 负载= 10k 时、目标稳压电压为32kV。 您可以使用串联的 LED 或二极管作为负载、或使用1 - 5欧姆等电阻作为负载。 负载为1欧姆时、输出电压约为3.2V

谢谢你。 我改变了负载。 但我无法理解这两种情况下的输出电压。 但 EN 输入的连接是否也正确？ 它必须永久处于高电平、对吧？

不需要 R64。 确保 PWM 分流路径阻抗远低于输出负载、以便输出电流可以流经分流 FET。  

EN 输入始终为高电平。  

您还可以同时监控 L6电流、Coff 和开关节点电压。  

电流仅流经 R51。
我使用了 PSpice 的标准 MOSFET。 我一使用 TI 的模型、仿真就会显示一条错误消息？

Rdson、Cgate 等不同的 MOSFET 参数可能会导致性能不同。 在仿真时或在实际应用中可能会考虑到这些事实。  

我在上一个仿真中使用了 PSpice 的标准 MOSFET。 当我将它们替换为 TI 的 MOSFET 模型后、就会出现一条错误消息。 在计算过程中、仿真中止。

可以使用 PSPICE 中的标准 EFT。 我想您遇到了通常会发生的收敛误差。  

在计算中收敛误差是如何产生的？

然而、最后一幅图片中的输出电压与 PWM 信号不符。 R51已设置为5 Ω。 如何确保 PWM 分流路径阻抗远低于输出负载？

从仿真波形可以看到、M11似乎没有开启。 未为此应用程序设置或未正确设置设备属性。 您可以仅选择已进行参数化的 POWER_NMOS_P。  这是一个0.0059欧姆的器件、远低于5欧姆。  

我更换了 MOSFET。 至少不再有错误消息。
与以前使用的正常 NMOS 有何区别？

结果仍然与该值不符：

您也可以尝试更改 M9。  下面的电路在我这边工作。