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[参考译文] BQ24800：在充电模式下对低侧 MOSFET 导通时间的限制

admin
Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24800EVM, CSD17308Q3

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1205332/bq24800-the-limitation-to-the-on-time-of-the-low-side-mosfet-in-charging-mode

器件型号：BQ24800
主题中讨论的其他器件： CSD17308Q3

您好

 

应用程序将调节为

 

VADP = 19V、VBAT = 16.8V、ICHG = 2A、Fsw = 800kHz

在验证过程中、我们发现捕获的波形在低侧驱动器上有一点失真、这可能是由我们使用的 MOSFET (SiRA10DP-T1-GE3：Vishay Siliconix)导致的、

我们想弄清楚在降压充电模式下、允许低侧 MOSFET 的导通时间缩短多长时间来保持稳压输出

 

 CH1：阶段：CH2：HIDRV：CH3：LODRV：CH4：IL

 

放大

谢谢

此致

 

本

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    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ben：

    我们不会得到这些信息。 您展示的内容可能是问题、也可能不是问题、但最终由最终产品的系统验证来确定。

    以下是您可以查看的几个选项：

    1.您提到您的适配器输入为19V、VBAT 为16.8V。 但我相信、如果您测量 ACP 和 SRN 点、则由于电阻压降、ACP 将低于19V、而 SRN 将高于16.8V。 这会导致非常高的占空比。

    如果您增加输入电压、占空比将会降低、因此低侧将具有更多裕度。 如果提高了输出的寄生压降、占空比也会降低、因此低侧也将具有更多的裕度。  

    换言之、如果您增加输入到输出电压的差分、这将得到改进。

    2.降低开关频率。 您可以通过 PWM_FREQ 位执行此操作。

    谢谢。

    鹏

  • 0
    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，彭

     

    感谢您的回复！

    我们的验证之一是将充电器视为通用降压转换器、没有电压源连接到 VBAT、而是使用恒流模式电子负载。

    缓慢上升和下降时间@ LS 驱动可能来自我们所选的 MOSFET 的 Ciss  

    SiRA10DP-T1-GE3 (我们的材料)

    CSD17308Q3 (BQ24800EVM 材料)

    器件型号 SiRA10DP-T1-GE3_(N 通道) CSD17308Q3_(N 通道)
    制造商 威世硅尼克斯 TI
    VDS (V) 30 30
    ID (A)_受限封装 60 50
    封装(mm x mm) 5.15 x 6.15 3.3 x 3.3
    Ciss (pF) 2425 (典型值) 540 (典型值)/700 (最大值)
    应用 ․高功率密度 DC/DC ․笔记本电脑负载点
    ․Ω 同步整流 网络中的․点同步降压、
    ․VRMS 和嵌入式直流/直流转换器 电信和计算系统

     

     

    您能帮助推荐 Ciss 的系列吗？

    这对我们的评估有很大帮助！

     

    此致

    本

     

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    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ben：

    1.请勿在 CC 模式下使用电子负载测试电池充电器。 充电器的工作原理是强制恒定电流通过输出。 它自己有一个 CC 环路。 如果在 CC 模式下使用电子负载、电子负载 CC 环路将与充电器的 CC 负载对抗。 如果您希望使用电子负载、您可以在 CV 模式下尝试它。

    2.正如我说过的、我们没有一系列可以描述的 MOSFET 特性。 充电器 IC 本质上 只是打开和关闭 MOSFET。 功率级设计是系统决定的一部分。  最终应用开发人员自行决定产品是否适合大规模生产。  

    不过、我个人建议改进开关波形。 开关 MOSFET 是一种选择。  你可以考虑的另外两条路线，在我之前的答复中已有说明。

    谢谢。

    鹏