[参考译文] BQ24800：在充电模式下对低侧 MOSFET 导通时间的限制

尊敬的 Ben：

我们不会得到这些信息。 您展示的内容可能是问题、也可能不是问题、但最终由最终产品的系统验证来确定。

以下是您可以查看的几个选项：

1.您提到您的适配器输入为19V、VBAT 为16.8V。 但我相信、如果您测量 ACP 和 SRN 点、则由于电阻压降、ACP 将低于19V、而 SRN 将高于16.8V。 这会导致非常高的占空比。

如果您增加输入电压、占空比将会降低、因此低侧将具有更多裕度。 如果提高了输出的寄生压降、占空比也会降低、因此低侧也将具有更多的裕度。  

换言之、如果您增加输入到输出电压的差分、这将得到改进。

2.降低开关频率。 您可以通过 PWM_FREQ 位执行此操作。

谢谢。

鹏

尊敬的 Ben：

1.请勿在 CC 模式下使用电子负载测试电池充电器。 充电器的工作原理是强制恒定电流通过输出。 它自己有一个 CC 环路。 如果在 CC 模式下使用电子负载、电子负载 CC 环路将与充电器的 CC 负载对抗。 如果您希望使用电子负载、您可以在 CV 模式下尝试它。

2.正如我说过的、我们没有一系列可以描述的 MOSFET 特性。 充电器 IC 本质上 只是打开和关闭 MOSFET。 功率级设计是系统决定的一部分。  最终应用开发人员自行决定产品是否适合大规模生产。  

不过、我个人建议改进开关波形。 开关 MOSFET 是一种选择。  你可以考虑的另外两条路线，在我之前的答复中已有说明。

谢谢。

鹏