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器件型号：LM74700-Q1 主题中讨论的其他器件：LMR36520、 LM5050-1、 LM5050-2
您好！
我为直流电机设计了一个驱动板、其最大电源电压为55V、最大电流为100A、最长持续5秒。
整个动力总成由100V 组件实现、因为有必要在电阻负载上实现即使是100A 的电流也至关重要的制动。 电源采用高于60V 的电压进行保护、与我使用 LMR36520实现的24V 和5V 电源相同。
因此、我实施了一个由 P-MOSFET、 电阻器和齐纳二极管制成的分立式理想二极管。 这用于在抗耗散制动期间发生过压时分离直流母线。 例如、在电阻制动期间、我还看到82V 的电压持续几百毫秒。
不幸的是、使用的 P-MOSFET 必须具有很高的性能、并且找不到很多替代方案。 到目前为止,我正在使用这些: SQM120P10-10M ,我认为没有比 D2PAK 更好
我想评估使用理想二极管和 N-MOSFET 的可能性。 因此、我当时正在研究 LM747xx 系列的组件、但在我看来、问题在于65V 的工作电压限制。
我看到了一个主题、其中讨论了输入过压：
根据我所读的内容、没有纠正该问题的技巧、尤其是如果您希望具有反向电流阻断
在各种可能的情况中、我不想将理想二极管与 N-MOSFET 一起在低侧轨上使用。 我认为、将接地与共享电源的其他外部器件配合使用时、即使使用其他电源、也会出现太多使接地悬空的问题、但存在创建接地环路的风险。
我愿意考虑通过动力总成组件将电压降低到80V、并在可能的情况下提高制动能力。
我想问一下、我是否有一个尚未评估的优雅解决方案？
谢谢！
马可
