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尊敬的 TI 同事:
TPS62097-Q1支持 pri-bias SS。 然而、TPS62097-Q1在硅中也具有放电功能、即165 Ω。
当其他电源负载电流增加时、该功能会出现问题。
*另一个电源也连接到 TPS62097-Q1的输出端、作为额定偏置源。
因此、我想在 EN=L 处禁用放电功能。
您能否建议一种消除硅中165欧姆放电的方法?
此致。
前川町
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尊敬的 TI 同事:
TPS62097-Q1支持 pri-bias SS。 然而、TPS62097-Q1在硅中也具有放电功能、即165 Ω。
当其他电源负载电流增加时、该功能会出现问题。
*另一个电源也连接到 TPS62097-Q1的输出端、作为额定偏置源。
因此、我想在 EN=L 处禁用放电功能。
您能否建议一种消除硅中165欧姆放电的方法?
此致。
前川町
尊敬的 Maekawa:
遗憾的是、对于 TPS62097-Q1、无法关闭内部输出放电。
但是、连接输出放电的 FET 需要特定的 VIN 电压(>1V)才能导通。 因此、唯一的可能是如果您快速降低 VIN (<~100us)、输出放电 FET 将只能在短时间内导通。 这样可以防止 VOUT 放电。 但这也取决于应用中 VOUT 的值。 如果 VOUT 大于2.2V (UVLO)、则该方法也不有效、因为输出会随着 VIN 在100%模式下下降、直至 UVLO。
预偏置启动模式适用于 VIN 快速下降且 VOUT 未完全放电的情况。
另一个选择是在 TPS62097输出和负载之间添加一个负载开关。 例如、如果有2个输出电容器、则可以在两者之间添加负载开关。 使用禁用 TPS62097 EN 的同一信号可以关闭负载开关。
所设置 VOUT 的负载电流是否较小、从而 VOUT 不会通过 您的负载放电?
此致、
瓦伦