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器件型号：LMG3522R030 主题中讨论的其他器件： ISO7741
尊敬的专家：
以下是我的客户的 LMG3522R030 PCB 布局、信号接地和 GaN 源极之间的开尔文连接如下图所示：
使用布线连接两个铜、而不是像 EVM 那样使用过孔。
根据以前 Si MOS 的布局经验、但不确定它是否适用于 GaN HEMT。
蓝色框是信号接地屏蔽层、红色圆圈是到底部 GaN 源的开尔文迹线。
顶部 GaN。
