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器件型号：BQ33100 我们在超级电容器管理器电路中使用了 BQ33100、
附件是我们在设计中使用的原理图(典型应用)。
PFA
我们 在上电后的头20秒内、MOSFET Q6 (SI4435DY)面临过热问题。
我们 在上电后的头20秒内在 Q6测得的电压：
漏极和源极之间的电压(VDS)= 3.3V 至1.6V
漏极电流(ID)= 3安培
栅极和源极之间的电压(Vgs)=-2.6至-3.2V
20秒后、当电容器充电到
读取为：
VDS = 0V
VGS =>4.5V
因此、请提出 避免 MOSFET Q6 (SI4435DY)发热所需的解决方案。
此致
M·阿什什
