我在设计中使用了 BQ7790508。 我发现欠压电平为2.5V、不像数据表所声称的2.0V。
但过压电平正确为3.9V。
我对几个单元进行了测试、但它们都有相同的问题。
我遵循了 TI 参考设计。 这可能是 TI 制造的问题吗?
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我在设计中使用了 BQ7790508。 我发现欠压电平为2.5V、不像数据表所声称的2.0V。
但过压电平正确为3.9V。
我对几个单元进行了测试、但它们都有相同的问题。
我遵循了 TI 参考设计。 这可能是 TI 制造的问题吗?
我附上我们的原理图和 IC 图片。
e2e.ti.com/.../110_2D00_0890_2D00_98_2D00_01-Rev-B_2800_VENDOR_29005F00_20230131.pdf
我以450R 串联电阻器对电池电压进行仿真。 向 IC 施加电压并检查 IC 是否处于正常无故障状态。 缓慢降低电压、直到 IC 进入 FAULT 状态。 记录跳闸电压。
每个电路板上有4个 IC。 我们测试了三块板,# 1 UV 2.55V/Recover 3.05, # 2 2.52/3.01,#3 2.55/3.27V, 所有三块板都有非常好的 OV 电平在3.9V。
UV 级别和恢复级别可能也不是非常一致。