[参考译文] CSD25501F3：是否可以串联 TI P-MOSFET 来获得更大的有效 VDS？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1200695/csd25501f3-can-i-use-ti-p-mosfet-in-series-to-get-a-larger-effective-vds

器件型号：CSD25501F3

您好：

我正在考虑将 p-mosfet 用作负载开关来导通/关断 GaN 开关的-28V 电压。 TI 的 P-MOSFETS 在-20V 下"最小输出"。我能否将两个 P-MOSFET 串联在一起、以有效地降低每个器件上的 VDS？请注意、该应用的电流消耗仅次于什么。

通常、不建议采用此技术、因为一个器件先导通(VEE 侧)、而另一个器件(负载侧)将瞬时看到整个-28V。这些栅极将连接在一起以确保同步运行。我可以在 VEE 漏极侧的栅极上添加一个小的 RC 时间常数电路、以便器件最终导通。

这种技术是否可行？

-罗素

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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您好、Russell、

谢谢咨询。理论上、MOSFET 的串联可以实现更高的有效击穿电压。但是、由于器件之间的参数差异、通常不建议这样做。阈值电压的变化意味着一个 FET 始终在另一个 FET 之前导通、在另一个器件之后关断、无法确保不会超过击穿电压。为了安全起见、我建议选择一个具有足够击穿电压的 P 沟道器件、而不是两个串联器件。

此致、

约翰·华莱士

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